【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体装置,例如涉及适用于作为逆变器的构成要素的半导体装置而有效的技术。
技术介绍
在美国申请公开第2007/0052379号说明书(专利文献1)中,记载作为三相逆变器的构成要素的半导体装置。在该半导体装置中,沿着密封体的长边交替地配置了构成三相逆变器的上分路的3个半导体芯片以及构成三相逆变器的下分路的3个半导体芯片。专利文献1:美国申请公开第2007/0052379号说明书
技术实现思路
例如,在专利文献1中记载一种半导体装置,该半导体装置具备:具有第1部分、第2部分与第3部分的第1芯片搭载部、在俯视时被第1部分与第2部分夹着的第2芯片搭载部、在俯视时被第2部分与第3部分夹着的第3芯片搭载部以及通过第3芯片搭载部而在平面上夹着第3部分的第4芯片搭载部。并且,在第1芯片搭载部的第1部分、第2部分与第3部分各自的表面,搭载了构成三相逆变器的上分路的半导体芯片,在第2芯片搭载部至第4芯片搭载部各自的表面,搭载了构成三相逆变器的下分路的半导体芯片。此时,与第1芯片搭载部的第1部分、第2部分与第3部分中的第1部分连结的引线从密封体突出,另一方面,未形成与第2部分和第3部分分别连结的引线。这是由于,如果从与第1芯片搭载部的第1部分连结的引线供给电源电位,则也能够对与第1部分一体地形成了的第2部分和第3部分供给电源电位。但是,在该构成中,从搭载于第1芯片搭载部 ...
【技术保护点】
一种半导体装置,其特征在于,具有:第1芯片搭载部,具有第1部分与第2部分;第2芯片搭载部;第3芯片搭载部;第1半导体芯片,搭载于所述第1芯片搭载部的所述第1部分,并且具备第1功率晶体管;第2半导体芯片,搭载于所述第2芯片搭载部,并且具备第2功率晶体管;第3半导体芯片,搭载于所述第1芯片搭载部的所述第2部分,并且具备第3功率晶体管;第4半导体芯片,搭载于所述第3芯片搭载部,并且具备第4功率晶体管;第1引线;第2引线,与所述第1芯片搭载部的所述第2部分连结;第3引线;以及密封体,密封所述第1芯片搭载部至所述第3芯片搭载部、所述第1半导体芯片至所述第4半导体芯片、所述第1引线的一部分、所述第2引线的一部分以及所述第3引线的一部分,具有上表面、位于与所述上表面相反一侧的下表面、在厚度方向上位于所述上表面与下表面之间的第1侧面以及与所述第1侧面对置的第2侧面,所述第1芯片搭载部至所述第3芯片搭载部沿着所述密封体的所述第1侧面延伸的第1方向分别配置,所述第2芯片搭载部在俯视时配置在所述第1芯片搭载部的所述第1部分与所述第2部分之间,所述第1芯片搭载部的所述第2部分在俯视时配置在所述第2芯片搭载部与 ...
【技术特征摘要】
2014.12.03 JP 2014-2451361.一种半导体装置,其特征在于,具有:
第1芯片搭载部,具有第1部分与第2部分;
第2芯片搭载部;
第3芯片搭载部;
第1半导体芯片,搭载于所述第1芯片搭载部的所述第1部分,
并且具备第1功率晶体管;
第2半导体芯片,搭载于所述第2芯片搭载部,并且具备第2
功率晶体管;
第3半导体芯片,搭载于所述第1芯片搭载部的所述第2部分,
并且具备第3功率晶体管;
第4半导体芯片,搭载于所述第3芯片搭载部,并且具备第4
功率晶体管;
第1引线;
第2引线,与所述第1芯片搭载部的所述第2部分连结;
第3引线;以及
密封体,密封所述第1芯片搭载部至所述第3芯片搭载部、所述
第1半导体芯片至所述第4半导体芯片、所述第1引线的一部分、所
述第2引线的一部分以及所述第3引线的一部分,具有上表面、位于
与所述上表面相反一侧的下表面、在厚度方向上位于所述上表面与下
表面之间的第1侧面以及与所述第1侧面对置的第2侧面,
所述第1芯片搭载部至所述第3芯片搭载部沿着所述密封体的所
述第1侧面延伸的第1方向分别配置,
所述第2芯片搭载部在俯视时配置在所述第1芯片搭载部的所述
第1部分与所述第2部分之间,
所述第1芯片搭载部的所述第2部分在俯视时配置在所述第2
芯片搭载部与所述第3芯片搭载部之间,
所述第1引线、所述第2引线与所述第3引线分别具有从所述密
\t封体的所述第1侧面突出的突出部分,
所述第2引线的突出部分包括能够与安装基板连接的部位,
所述第1半导体芯片的第1背面电极与所述第3半导体芯片的第
3背面电极经由所述第1芯片搭载部而电连接,
所述第2半导体芯片的第2背面电极与所述第2芯片搭载部电连
接,
所述第4半导体芯片的第4背面电极与所述第3芯片搭载部电连
接,
所述第1半导体芯片的第1表面电极与所述第2芯片搭载部经由
第1导电性部件而电连接,
所述第2半导体芯片的第2表面电极与所述第1引线经由第2
导电性部件而电连接,
所述第3半导体芯片的第3表面电极与所述第3芯片搭载部经由
第3导电性部件而电连接,
所述第4半导体芯片的第4表面电极与所述第3引线经由第4
导电性部件而电连接。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
能够与所述安装基板连接的部位是能够与所述安装基板焊接的
部位。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
能够与所述安装基板连接的部位是能够插入到所述安装基板的
部位。
4.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员:御田村和宏,板东晃司,佐藤幸弘,金泽孝光,
申请(专利权)人:瑞萨电子株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。