【技术实现步骤摘要】
技术介绍
技术实现思路
1、ie型igbt包括gg型结构、ggee型结构和ge-s型结构，浮置区可位于沟槽电极之间。例如，在gg型结构的情况下，浮置区位于一对沟槽栅极之间；在ggee型和ge-s型结构的情况下，浮置区位于沟槽栅极与沟槽发射极之间。影响igbt开关时间的因素不仅有漂移层结构，还包括在此类沟槽电极之间的浮置区中积聚的空穴的易放电性。为了进一步提高igbt的开关特性，有必要控制浮置区上的空穴积聚效应。
2、本公开提供了一种用于控制浮置区中的空穴积聚，并且改进诸如绝缘栅极条形极性晶体管等的半导体器件的开关时间的技术。
3、其他目的和新颖特征将从本说明书和附图的描述中变得显而易见。
4、下面将简要描述本公开中的代表性的几项的概述。
5、提供了一种根据实施例的半导体器件。沟槽栅极和沟槽发射极形成在半导体衬底中，并且在平面图中在第一方向上延伸，并且在平面图中在与第一方向正交的第二方向上彼此相邻。在沟槽栅极和与形成沟槽发射极的方向相反的区域中形成第一导电类型的浮置区。在形成于基极区中的第一导电类型的基极区、与第二导电类型相反的第一导电类型的发射极区、形成在发射极区和基极区中的接触构件，以及发射极区和基极区中提供发射极电极。沟槽栅极包括电连接到栅极电极的第一电极，沟槽发射极包括电连接到发射极的第二电极，浮置区的底部部分位于沟槽栅极和沟槽发射极的底部部分下方，并且浮置区在该浮置区的表面侧上具有晶体缺陷区。
6、根据上述实施例的半导体器件
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1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
7.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括：
8.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括：
9.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括：
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中
11.一种半导体器件的制造方法，所述方法包括以下步骤：
12.根据权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其中
13.根据权利要求11所述的半导体器件的制造方法，还包括以下步骤：
14.根据权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其中
15.根据权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其中
16.根据权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其中
17.根据权利要求11所述的半
18.根据权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其中
19.根据权利要求14所述的半导体器件的制造方法，其中
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
7.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括：
8.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括：
9.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括：
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中
11.一种半导体器件的制造方法，所...
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