【技术实现步骤摘要】
201410698552
【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法,其特征在于,包括步骤:提供半导体衬底;在半导体衬底上依次形成第一半导体层和第二半导体层的叠层,叠层间为隔离沟槽;从第一半导体层的端部去除部分的第一半导体层,以形成开口;填充开口及隔离沟槽,以分别形成第一绝缘层和隔离;在第二半导体层中形成贯通的刻蚀孔;通过刻蚀孔腐蚀去除剩余的第一半导体层,以形成空腔;在空腔及刻蚀孔的内表面上分别形成背栅介质层和第二绝缘层,并分别以导体层和连接层填充空腔及刻蚀孔,以分别形成背栅及连接孔;进行器件的后续加工。
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法,其特征在于,包括步骤:
提供半导体衬底;
在半导体衬底上依次形成第一半导体层和第二半导体层的叠层,叠层
间为隔离沟槽;
从第一半导体层的端部去除部分的第一半导体层,以形成开口;
填充开口及隔离沟槽,以分别形成第一绝缘层和隔离;
在第二半导体层中形成贯通的刻蚀孔;
通过刻蚀孔腐蚀去除剩余的第一半导体层,以形成空腔;
在空腔及刻蚀孔的内表面上分别形成背栅介质层和第二绝缘层,并分
别以导体层和连接层填充空腔及刻蚀孔,以分别形成背栅及连接孔;
进行器件的后续加工。
2.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,通过外延生长在半
导体衬底上依次形成第一半导体层和第二半导体层的叠层。
3.根据权利要求2所述的制造方法,其特征在于,所述衬底为硅衬底,
所述第一半导体层为GexSi1-x,其中0<x<1,所述第二半导体层为硅。
4.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,形成开口或形成空
腔时,去除第一半导体层的方法包括:采用HF、H2O2、CH3COOH和H2O
的刻蚀剂进行腐蚀去除第一半导体层。
5.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,形成第一绝缘层和
隔离的步骤具体包括:进行氧化工艺,在开口内以及在隔离沟槽的内壁上
形成第一氧化物层;在隔离沟槽中填满第二氧化物层。
6.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐烨锋,闫江,陈邦明,唐兆云,唐波,许静,李春龙,
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所,
类型:发明
国别省市:北京;11
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