【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路，尤其涉及一种高压电平移位电路及buck型电压变换器。
技术介绍
1、在直流-直流转换器(dc-to-dc converter，dcdc)中，上功率管采用n型金属氧化物半导体器件(n metal oxide semiconductor，nmos)，通常需要利用电荷泵结构产生高于电源电压的电压源来驱动nmos管。而驱动nmos管的逻辑信号的电压域为电源电压或者一个更低的内部电源，需要特定的电平移位电路将逻辑信号从低电压域转换为高电压域。
2、目前，在由半桥式拓扑结构形成的dc-dc buck型变换器中，buck型变换器的最大工作频率及功耗已经成为限制其在电源等高频应用系统中发挥高频特性的主要因素。传统的dc-dc buck型变换器的工作频率与其传输延时直接相关，而高压电平移位电路后级的滤波电路是阻碍驱动芯片传输延时降低的最主要原因，但若去除滤波电路又会削减驱动芯片对dv/dt噪声的抑制能力。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种高压电平移位电路及b...
【技术保护点】
1.一种高压电平移位电路，其特征在于，包括电平移位子电路以及噪声锁定子电路，其中，所述电平移位子电路与所述噪声锁定子电路分别通过第一节点以及第二节点耦接；
2.根据权利要求1所述的高压电平移位电路，其特征在于，所述电平移位子电路包括输入单元、第一方波信号输出单元以及第二方波信号输出单元；
3.根据权利要求2所述的高压电平移位电路，其特征在于，所述输入单元包括：第一反相器、输入晶体管对以及耐压晶体管对，其中：
4.根据权利要求2所述的高压电平移位电路，其特征在于，所述第一方波信号输出模块包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第一电
<...【技术特征摘要】
1.一种高压电平移位电路，其特征在于，包括电平移位子电路以及噪声锁定子电路，其中，所述电平移位子电路与所述噪声锁定子电路分别通过第一节点以及第二节点耦接；
2.根据权利要求1所述的高压电平移位电路，其特征在于，所述电平移位子电路包括输入单元、第一方波信号输出单元以及第二方波信号输出单元；
3.根据权利要求2所述的高压电平移位电路，其特征在于，所述输入单元包括：第一反相器、输入晶体管对以及耐压晶体管对，其中：
4.根据权利要求2所述的高压电平移位电路，其特征在于，所述第一方波信号输出模块包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第一电阻，其中：
5.根据权利要求4所述的高压电平移位电路，其特征在于，所述第二方波信号输出模块包括第四晶体管、第五...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡小五，路玉，解亚菲，党建英，卢剑，单梁，李博，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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