【技术实现步骤摘要】
存储器的集成电路上的数据保护方法及相关的存储器电路
本专利技术书是有关于存储器的集成电路上的数据保护方法及相关的存储器电路。
技术介绍
一种非挥发性存储器装置(例如闪存装置)可在未被供电时维持存储的数据。存储于一种包括一阵列的非挥发性存储单元的非挥发性存储器装置的数据,可通过对非挥发性存储单元执行读取、抹除或编程操作而被存取或修改。通过将数据存储在非挥发性存储单元阵列的保护区域或区段中,可避免对于存储于此装置中的数据的意外或未经授权的改变。此装置中的一群组的非挥发性存储单元,可被使用来存储关于这些区段的保护位。每个位表示关于一对应的保护区段的一保护状态(例如,保护或未保护)。软件常需要频繁地在保护/未保护状态之间转换,以便具有良好保护伴随着易于存取。然而,改变非挥发性保护位的状态需要编程/抹除操作。所以保护位由于非挥发性存储器持久性限制,只能够被编程/抹除有限度的次数。此外,相较于挥发性存储器写入操作,非挥发性存储器的编程/抹除操作需要多得多的操作时间。因此,期望提供用于将数据存储在一非挥发性存储器装置中的弹性及可靠的数据保护方法。
技术实现思路
本专利技术提供用于保护一种包括一存储器的集成电路上的数据的方法。一种方法包括将非挥发性保护码存储在集成电路上。非挥发性保护码具有关于存储器的多个区段中的各个区段的一个表示一保护状态的第一数值,或一个表示一未保护状态的第二数值。此方法包括将挥发性保护码存储在集成电路上。挥发性保护码具有关于多个区段中的各个区段的一个表示一保护状态的第一数值,或一个表示一未保护状态的第二数值。此方法包括:当特定区段用的挥发性保护码具有第一 ...
【技术保护点】
一种存储器电路,其特征在于,包括:一非挥发性存储器阵列,包括多个区段的非挥发性存储单元;一阵列的非挥发性存储器元件,该阵列中的每个非挥发性存储器元件存储一非挥发性保护码,该非挥发性保护码具有关于该多个区段中的一对应区段的一个表示一保护状态的第一数值,或一个表示一未保护状态的第二数值;一阵列的挥发性存储器元件,该阵列中的每个挥发性存储器元件存储一挥发性保护码,该挥发性保护码具有关于该多个区段中的一对应区段的一个表示一保护状态的第一数值,或一个表示一未保护状态的第二数值;以及控制逻辑,耦接至该存储器阵列,该控制逻辑在供该特定区段用的该挥发性保护码具有该第一数值时,阻止一特定区段的修改,否则允许该特定区段的修改,且该控制逻辑在一初始化程序中将该些挥发性保护码设定至非挥发性保护码的该些数值。
【技术特征摘要】
2014.02.26 US 61/945,112;2014.06.20 US 14/310,450;1.一种存储器电路,其特征在于,包括:一非挥发性存储器阵列,包括多个区段的非挥发性存储单元;一阵列的非挥发性存储器元件,该阵列中的每个非挥发性存储器元件存储一非挥发性保护码,该非挥发性保护码具有关于该多个区段中的一对应区段的一个表示一保护状态的第一数值,或一个表示一未保护状态的第二数值;一阵列的挥发性存储器元件,该阵列中的每个挥发性存储器元件存储一挥发性保护码,该挥发性保护码具有关于该多个区段中的一对应区段的一个表示一保护状态的第一数值,或一个表示一未保护状态的第二数值;以及控制逻辑,耦接至该非挥发性存储器阵列,该控制逻辑在供特定区段用的该挥发性保护码具有该第一数值时,阻止一特定区段的修改,否则允许该特定区段的修改,且该控制逻辑在一初始化程序中将这些挥发性保护码设定至非挥发性保护码的这些数值;其中:该阵列的非挥发性存储器元件被设计成执行一种将所有的这些非挥发性保护码设定至该第二数值的抹除操作,以及一种将选择的非挥发性保护码设定至该第一数值的编程操作。2.根据权利要求1所述的存储器电路,其中:该阵列的挥发性存储器元件被设计成执行一种将这些选择的挥发性保护码从该第二数值设定至该第一数值的操作,以及一种将选择的挥发性保护码从该第一数值重设至该第二数值的操作。3.根据权利要求1所述的存储器电路,其中该阵列的挥发性存储器元件被设计成执行一种将选择的挥发性保护码从该第二数值改变成该第一数值,以及从该第一数值改变成该第二数值的操作,且该控制逻辑在供该特定区段用的该非挥发性保护码具有该第一数值时,阻止改变供一特定区段用的该挥发性保护码的这些操作,且在当供该特定区段用的该非挥发性保护码从该第一数值重设至该第二数值时,导致供一特定区段用的该挥发性保护码改变至该第二数值。4.根据权利要求1所述的存储器电路,其特征在于,还包括一存储一保护锁码的一次性可编程存储器元件,该保护锁码具有一个表示一锁定模式的第一数值,以及一个表示一未锁定模式的第二数值,且其中当该保护锁码具有该第一数值时,该控制逻辑阻止对于该阵列的非挥发性存储器元件中的这些非挥发性保护码的改变。5.根据权利要求1所述的存储器电路,其特征在于,还包括一存储一保护锁码的密码保护的存储器元件,该保护锁码具有一个表示一锁定模式的第一数值,以及一个表示一未锁定模式的第二数值,且其中当该保护锁码具有该第一数值时,该控制逻辑阻止对于该阵列的非挥发性存储器元件中的这些非挥发性保护码的改变;其中该控制逻辑在一初始化程序中将该保护锁码设定至该第一数值,并只在收到一密码之时,允许重设至该第二数值。6.根据权利要求1所述的存储器电路,其特征在于,还包括一存储一保护锁码的挥发性存储器元件,该保护锁码具有一个表示一锁定模式的第一数值及一个指示一未锁定模式的第二数值,且其中当该保护锁码具有该第一数值时,该控制逻辑阻止对于该阵列的非挥发性存储器元件中的这些非挥发性保护码的改变;其中该控制逻辑在一初始化程序中将该保护锁码设定至该第二数值,并在收到一命令之时允许设定至该第一数值,然后,直到在另一个初始化事件之前,阻止对于该保护锁码的改变。7.根据权利要求1所述的存储器电路,其特征在于,还包括一存储一非挥发性保护锁码的一次性可编程存储器元件,该非挥发性保护锁码具有一个表示一锁定模式的第一数值及一个表示一未锁定模式的第二数值,且其中:当该非挥发性保护锁码在一初始化程序中具有该第二数值时,该控制逻辑将所有的这些挥发性保护码设定至该第二数值,以及在该初始化程序后允许对于这些挥发性保护码的改变;当该非挥发性保护锁码具有该第二数值时,当对这些非挥发性保护码做出一改变时,该控制逻辑将这些挥发性保护码设定至对应的非挥发性保护码的数值并将该非挥发性保护锁码设定至该第一数值;以及当该非挥发性保护锁码在一初始化程序中具有该第一数值时,该控制逻辑将所有的这些挥发性保护码设定至对应的非挥发性保护码的数值,且在该初始化程序之后当对这些非挥发性保护码做出一改变时,该控制逻辑将这些挥发性保护码设定至对应的非挥发性保护码的数值。8.根据权利要求1所述的存储器电路,其特征在于,包括一阵列的一次性可编程存储器元件,其存储供数个对应区段用的非挥发性保护锁码,这些非挥发性保护锁码具有一个表示一锁定模式的第一数值及一个指示一未锁定模式的第二数值,且其中:当供一特定区段用的该非挥发性保护锁码在一初始化程序中具有该第二数值时,该控制逻辑将该挥发性保护码设定至该第二数值,且在该初始化程序之后,允许对于供该特定区段用的该挥发性保护码的改变;当供一特定区段用的该非挥发性保护锁码具有该第二数值时,当对供该特定区段用的该非挥发性保护码做出一改变时,该控制逻辑将供该特定区段用的该挥发性保护码设定至对应的非挥发性保护码的数值,并将供该特定区段用的该挥发性保护锁码设定至该第一数值;以及当供该特定区段用的该非挥发性保护锁码在一初始化程序中具有该第一数值时,该控制逻辑将供该特定区段用的该挥发性...
【专利技术属性】
技术研发人员:洪俊雄,张坤龙,陈耕晖,罗思觉,
申请(专利权)人:旺宏电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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