用于发光二极管控制集成电路的保护电路制造技术

本发明专利技术提供一种用于发光二极管控制集成电路的保护电路。保护电路包含分压电路以及降压电路。分压电路耦接于发光二极管集合的端点，用以根据端点的端点电压产生分压电压。降压电路耦接于分压电路，用以降低分压电路的分压电压。

【技术实现步骤摘要】
用于发光二极管控制集成电路的保护电路
本专利技术是关于一种用于发光二极管控制集成电路的保护电路。更具体地说，本专利技术的保护电路是用于先进制作工艺的多通道发光二极管控制集成电路。
技术介绍
已知技术中，在片上系统(SystemonChip)的集成度不断地提升的情况下，大部分的多通道发光二极管的控制集成电路(IntegratedCircuit)已可直接集成于一般的片上系统制作工艺中。然而，当采用先进制作工艺制作片上系统时(例如40纳米制作工艺、28纳米制作工艺等)，将导致使用片上系统的装置所能承受的电压限制相对提升。因此，在装置的发光二极管组进行调暗(dimmingoff)或发光二极管组的部份发光二极管发生故障，导致传送至控制集成电路的电压瞬间提升时，其所提升的电压将超出利用先进制作工艺制作的片上系统所能承受的范围，据此，已知的多通道发光二极管的控制集成电路并无法直接集成到利用先进制作工艺制作的片上系统中。鉴于此，如何正确地将多通道发光二极管的控制集成电路集成到利用先进制作工艺制作的片上系统中，使其得以正常运作，是业界急需努力的目标。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供了一种发光二极管控制集成电路的保护电路，其主要是通过降低输入至控制集成电路的电压的方式保护控制集成电路。为完成上述目的，本专利技术提供一种用于发光二极管控制集成电路的保护电路。保护电路包含分压电路以及降压电路。分压电路耦接于发光二极管组的端点，用以根据端点的端点电压产生分压电压。降压电路耦接于分压电路，用以降低分压电路的分压电压。通过上述所公开的技术特征，本专利技术的保护电路可根据发光二极管的电压变化，进一步地降低输入至控制集成电路的电压，以达到保护控制集成电路的目的。在参考附图以及随后描述的实施方式后，本领域普通技术人员便可了解本专利技术的其它目的，以及本专利技术的技术手段及实施方式。附图说明图1是本专利技术的第一实施例的保护电路的示意图；图2是本专利技术的第二实施例的保护电路的示意图；图3是本专利技术的第三实施例的保护电路的示意图；以及图4是本专利技术的第四实施例的保护电路的示意图；具体实施方式以下将通过实施例来解释本
技术实现思路
。然而，本专利技术的实施例并非用以限制本专利技术需在如实施例所述的任何环境、应用或方式才能实施。因此，关于实施例的说明仅为阐释本专利技术的目的，而非用以直接限制本专利技术。需说明，以下实施例及图示中，与本专利技术非直接相关的组件已省略而未示出。参考图1，其为本专利技术第一实施例的保护电路1的示意图。保护电路1用于发光二极管控制集成电路2，包含设于发光二极管控制集成电路2外的分压电路11以及设于发光二极管控制集成电路2内的降压电路15。须特别说明，图示部分已知的发光二极管装置电路9中，本领域技术人员应可轻易地得知组件名称及功能(如肖特基二极管、电容、电阻、电感、比较器及晶体管等已知组件)，并可理解其组成电路的功能。然由于其并非本专利技术主要的技术特征，因此不多赘述。本专利技术主要组件间的联结关系将于下文中进行进一步阐述。具体而言，本专利技术第一实施例主要是可在发光二极管组3进行调暗(dimmingoff)节能时，主动针对输入至发光二极管控制集成电路2的电压进行降压。详细来说，分压电路11耦接于发光二极管组3的端点31，并用以根据端点31的端点电压VA产生分压电压VDET。此时，当发光二极管组3运作正常时，发光二极管控制集成电路2可承受输入的正常分压电压VDET。然而，当发光二极管组3进行调暗节能时，将导致分压电压VDET瞬间提升。据此，耦接于分压电路11的降压电路15便可主动地降低分压电路11的分压电压VDET，使得输入至发光二极管控制集成电路2的分压电压VDET不会超出发光二极管控制集成电路2所能承受的电压值，以保护VDET输入至发光二极管控制集成电路2的引脚不会受到损坏。如此一来，保护电路1可通过主动调降输入至发光二极管控制集成电路2的电压，以在集成电路集成到先进制作工艺制作的片上系统时，达到保护发光二极管控制集成电路2的目的。参考图2，其为本专利技术第二实施例的保护电路1’的示意图。其中，须特别说明，第二实施例中与先前实施例的电路架构相似，因此符号相同的组件功能也相同，在此不再赘述。而第二实施例与先前实施例的差异在于，保护电路1’进一步包含设于发光二极管控制集成电路2内的检测电路13。具体而言，本专利技术第二实施例主要是通过检测电路13，判断输入至发光二极管控制集成电路2的电压是否异常提升，若是，则降低输入电压以保护发光二极管控制集成电路2。同样地，分压电路11耦接于发光二极管组3的端点31，并用以根据端点31的端点电压VA产生分压电压VDET。此时，当发光二极管组3运作正常时，发光二极管控制集成电路2可承受输入的正常分压电压VDET。然而，当发光二极管组3中有发光二极管发生故障，导致分压电压VDET瞬间提升时，耦接于分压电路11的检测电路13将可以根据瞬间提升的分压电压VDET产生检测信号130，并将检测信号130传送至降压电路15。换言之，当检测电路13判断分压电压VDET大于标准电压(例如发光二极管控制集成电路2集成于先进制作工艺制作的片上系统后所能承受的电压)时，便将检测信号130传送至降压电路15。随即，耦接于分压电路11以及检测电路13的降压电路15，将可根据检测信号130降低分压电路11的分压电压VDET，使得输入至发光二极管控制集成电路2的分压电压VDET不会超出发光二极管控制集成电路2所能承受的电压值，以保护VDET输入至发光二极管控制集成电路2的引脚不会受到损坏。如此一来，保护电路1’可通过检测发光二极管异常引发的电压变化，进一步地降低输入至发光二极管控制集成电路2的电压，以在集成电路集成到先进制作工艺制作的片上系统时，达到保护发光二极管控制集成电路2的目的。参考图3，其为本专利技术第三实施例的保护电路1”的示意图。其中，须特别说明，第三实施例中与先前实施例的电路架构相似，因此符号相同的组件功能也相同，在此不再赘述。而第三实施例主要是详述：(1)分压电路以及降压电路的可能实施方式；以及(2)利用控制电路控制发光二极管组传输至分压电路的电流。具体而言，分压电路11进一步包含第一电阻R1以及第二电阻R2。其中，第一电阻R1具有第一端点r1以及第二端点r2，第二电组R2具有第三端点r3以及第四端点r4。如图所示，第一端点r1耦接至发光二极管组3，第二端点r2耦接至第三端点r3、检测电路13以及降压电路15，第四端点r4耦接至共同接点COM1。如此一来，分压电路11将可根据端点电压VA产生分压电压VDET。此外，降压电路15进一步包含开关组件151。如图所示，开关组件151耦接于分压电路11、检测电路13以及共同接点COM2。而当检测信号130传送至降压电路15的开关组件151时，开关组件15将据以导通分压电路11至共同接点COM2，如此一来，将可降低分压电路11的分压电压VDET。须特别强调，开关组件151可为晶体管，然并非用以限制开关组件的实施方式。另一方面，保护电路1”进一步包含控制电路17，耦接于发光二极管组3的端点31，用以控制通过发光二极管组3的电流。更详细地说，控制电路17包含设于发光二极管控制集成电路2外的第一开关组件171、反馈电阻Rfb以及设于发光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于发光二极管控制集成电路的保护电路，包含：分压电路，耦接于发光二极管集合的端点，用以根据所述端点的端点电压产生分压电压；以及降压电路，耦接于所述分压电路，用以降低所述分压电路的所述分压电压；其中，所述分压电路设置于所述发光二极管控制集成电路外，所述降压电路设置于所述发光二极管控制集成电路内。

【技术特征摘要】
1.一种用于发光二极管控制集成电路的保护电路，包含：分压电路，耦接于发光二极管组的端点，用以根据所述端点的端点电压产生分压电压；以及降压电路，耦接于所述分压电路，用以降低所述分压电路的所述分压电压，经过降压后的所述分压电压输入至所述发光二极管控制集成电路；检测电路，耦接于所述分压电路以及所述降压电路，用以根据所述分压电压产生检测信号；其中，所述分压电路设置于所述发光二极管控制集成电路外，所述降压电路设置于所述发光二极管控制集成电路内，所述降压电路进一步用以根据所述检测信号，降低所述分压电路的所述分压电压，所述检测电路设置于所述发光二极管控制集成电路内。2.根据权利要求1所述的保护电路，其中，所述检测电路是用以在判断所述分压电压大于标准电压后，产生所述检测信号。3.根据权利要求1所述的保护电路，其中，所述分压电路进一步包含：第一电阻，具有第一端点以及第二端点；第二电阻，具有第三端点以及第四端点；其中，所述第一电阻的所述第一端点耦接至所述发光二极管组，所述第一电阻的所述第二端点耦接至所述第二电阻的所述第三端点、所述检测电路以及所述降压电路，所述第二电阻的所述第四端点耦接至共同接点。4.根据权利要求1所述的保护电路，其中，所述降压电路进一步包含：开关元件，耦接于所述分压电路、所述检测电路以及共同接点，用以根据所述检测信号...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓欢，杜全平，
申请(专利权)人：瑞昱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71