半导体晶体切割用树脂支撑板制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体晶体切割用树脂支撑板，该支撑板的一侧表面为圆弧形，在支撑板的圆弧形表面开设有若干凹槽。最好所述凹槽为长条状沟槽，且沿其沟槽长度方向延伸至所述支撑板的两侧面。本实用新型专利技术通过在弧形支撑板上加工沟槽，有效地达到了减薄胶水层厚度的目，间接地实现了提高硅片等半导体晶体切割质量、避免切割掉片的效果，为提高半导体晶片的切割水平有很大的帮助。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种半导体晶体切割用树脂支撑板，该支撑板的一侧表面为圆弧形，在支撑板的圆弧形表面开设有若干凹槽。最好所述凹槽为长条状沟槽，且沿其沟槽长度方向延伸至所述支撑板的两侧面。本技术通过在弧形支撑板上加工沟槽，有效地达到了减薄胶水层厚度的目，间接地实现了提局桂片等半导体晶体切割质量、避免切割掉片的效果，为提高半导体晶片的切割水平有很大的帮助。【专利说明】半导体晶体切割用树脂支撑板
本技术专利涉及半导体晶体切割
，具体涉及一种半导体晶体切割用树脂支撑板。
技术介绍
半导体晶体切割采用弧形支撑板来粘接半导体晶体与切割机。在切割过程中，支撑板起到支撑、固定半导体晶体的作用。切割前，支撑板与半导体晶体的接触面通过胶水粘接，形成胶水层，如图1和图2所示；在切割完成后，用脱胶剂将胶水层分解，使支撑板与半导体晶片脱离。因此，胶水层的厚度、硬度、粘接强度以及支撑板的硬度、耐温性等参数对切割质量都有着及其重要的影响。 为了提高切割质量，行业内的技术人员通过反复实验证明，胶水层减薄对提高切片质量有明显帮助。为此，胶水层厚度一般控制在0.2?0.3_左右。但是如果进一步减薄胶水层，则会面临至少两个问题:一是，胶水层变薄，粘接强度减小，切割中掉片，影响切片质量；二是，胶水层排气不均匀，粘接后胶水层存在气泡，影响切片质量。
技术实现思路
本技术对半导体晶体切割用树脂支撑板进行改进，设计一种半导体晶体切割用新型树脂支撑板，消除了胶水层气泡对粘接强度的影响，并有效增加了粘接强度，使得减薄胶水层厚度、进而提高切割质量成为可能。 为实现本技术的目的，本技术的技术方案是一种半导体晶体切割用树脂支撑板，该支撑板的一侧表面为圆弧形，在支撑板的圆弧形表面开设有若干凹槽。 通过在支撑板的弧形表面设置凹槽，胶水可以通过毛细管作用进入沟槽内，凝固后的留在沟槽内的胶水与贴近弧面的胶水层连成一体，从而增加了胶水层的粘接强度，避免了切割掉片的现象。另一方面，使得胶水层中所含的气泡可以上升至凹槽内，克服了使用传统半导体切割用树脂支撑板时气泡残留在胶水层内影响粘接强度的缺点。 为了使凹槽内的气泡能更快溢出，进而有效地排出胶水层中的气体，提高了半导体晶体的切片质量，优选地，所述凹槽为长条状沟槽，且沿其沟槽长度方向延伸至所述支撑板的两侧面。 兼顾到毛细管作用发生容易性和洗胶容易性，优选地，所述沟槽宽度为2?10mm，所述沟槽的数量为3?10条。 为了保证开槽后沟槽内不产生粉末残留、避免残留粉末影响粘接强度，优选地，所述沟槽内壁具有圆滑结构。 为此，所述沟槽可以为带有圆弧结构的矩形沟槽，或者为带有圆弧结构的V形沟槽。 本技术的优点和有益效果在于:本技术通过在弧形支撑板上加工沟槽，有效地达到了减薄胶水层厚度的目，间接地实现了提高硅片等半导体晶体切割质量、避免切割掉片的效果，为提高半导体晶片的切割水平有很大的帮助。 【专利附图】【附图说明】 图1是传统的半导体晶体切割用树脂支撑板的截面结构示意图； 图2是传统的半导体晶体切割用树脂支撑板的使用状态示意图； 图3是本技术半导体晶体切割用树脂支撑板的截面结构示意图； 图4是本技术半导体晶体切割用树脂支撑板的使用状态示意图； 图5是本技术半导体晶体切割用树脂支撑板的另一种截面结构示意图； 图6是本技术半导体晶体切割用树脂支撑板的又一种截面结构示意图。 图中:1、支撑板；11、上表面；12、凹槽；3、胶水层；4、半导体晶体。 【具体实施方式】 下面结合附图，对本技术的【具体实施方式】作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本技术的技术方案，而不能以此来限制本技术的保护范围。 本技术是一种半导体晶体切割用树脂支撑板，如图3和图4所示，该支撑板I的一侧表面11为圆弧形，在支撑板I的圆弧形上表面11开设有若干凹槽12。用于粘接半导体晶体4时，胶水可以通过毛细管作用进入沟槽12内，凝固后的留在沟槽12内的胶水与贴近圆弧形上表面11的胶水连成一体，从而增加了胶水层3的粘接强度，避免了切割掉片的现象。另外，胶水层3中所含的气泡可以上升至凹槽12内，克服了使用传统半导体切割用树脂支撑板时气泡残留在胶水层3内影响粘接强度的缺点。 为了使凹槽12内的气泡能更快溢出，进而有效地排出胶水层3中的气体，提高了半导体晶体4的切片质量，凹槽12最好为长条状沟槽，且沿其沟槽长度方向延伸至支撑板I的两侧面。兼顾到毛细管作用发生和洗胶容易性，长条形沟槽宽度最好为2?10mm，长条形沟槽的数量为3?10条。为了保证开槽后沟槽内不产生粉末残留、避免残留粉末影响粘接强度，沟槽内壁最好具有圆滑结构。为此，沟槽可以为带有圆弧结构的矩形沟槽，如图5所示，或者为带有圆弧结构的V形沟槽，如图6所示。 以上所述仅是本技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本技术技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。【权利要求】1.一种半导体晶体切割用树脂支撑板，其特征在于:所述支撑板的一侧表面为圆弧形，在支撑板的圆弧形表面开设有若干凹槽。2.如权利要求1所述的半导体晶体切割用树脂支撑板，其特征在于:所述凹槽为长条状沟槽，且沿其沟槽长度方向延伸至所述支撑板的两侧面。3.如权利要求2所述的半导体晶体切割用树脂支撑板，其特征在于:所述沟槽宽度为2?1mm,所述沟槽的数量为3?10条。4.如权利要求3所述的半导体晶体切割用树脂支撑板，其特征在于:所述沟槽内壁具有圆滑结构。5.如权利要求4所述的半导体晶体切割用树脂支撑板，其特征在于:所述沟槽为带有圆弧结构的矩形沟槽。6.如权利要求4所述的半导体晶体切割用树脂支撑板，其特征在于:所述沟槽为带有圆弧结构的V形沟槽。【文档编号】B28D7/04GK204019773SQ201420241527【公开日】2014年12月17日 申请日期:2014年5月12日 优先权日:2014年5月12日 【专利技术者】韩卫, 王滢赞, 曹中谦 申请人:苏州润德新材料有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体晶体切割用树脂支撑板，其特征在于：所述支撑板的一侧表面为圆弧形，在支撑板的圆弧形表面开设有若干凹槽。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：韩卫，王滢赞，曹中谦，
申请(专利权)人：苏州润德新材料有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32