一种半导体结构及其形成方法、封装方法，结构包括：衬底，所述衬底包括器件区和环绕所述器件区的过渡区，所述器件区内具有器件结构；位于器件区上的第一金属层，所述第一金属层和器件结构电连接；位于过渡区上的第一对准标记；覆盖所述第一金属层和第一对...

一种电路，用于获取待测触发器的建立时间，所述待测触发器包括第一传输门至第四传输门、第一反相器至第八反相器，以及第一缓冲器和第二缓冲器，所述电路包括：控制单元，适于输出选择控制信号；负载单元，与所述控制单元和所述待测触发器的时钟端耦接，适...

一种半导体结构及掩模版版图，结构包括：多个沿第一方向延伸的金属线，金属线沿第一方向包括主线区、以及分别位于主线区两侧的隔断区，金属线包括一个或多个沿第二方向平行排列的金属环、以及位于金属环露出的区域内的第一金属线作为内金属线，位于金属环...

一种半导体结构的形成方法，方法包括：提供基底，所述基底包括密集区和稀疏区，所述基底包括用于形成目标图形的目标层，密集区和稀疏区的目标层上形成有凸立的第一核心层；在所述第一核心层的侧壁形成第一掩膜侧墙；在所述第一掩膜侧墙的侧壁形成保护层；...

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括衬底以及分立于衬底上的鳍式结构，鳍式结构包括底部鳍部和位于底部鳍部上的牺牲层及位于牺牲层上的顶部鳍部；在衬底上形成围绕底部鳍部的隔离层；在隔离层上形成横跨顶部鳍部的伪栅结构；去除位于伪...

本申请实施例提供一种掩膜版清洗方法，包括：获取清洗掩膜版的清洗制程，所述清洗制程包括各个清洗试剂的清洗顺序、清洗温度和单次清洗时间，所述清洗顺序能够使相邻各所述清洗试剂的清洗温度的温度差满足温度差阈值，所述清洗温度的交替次数满足次数阈值...

一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括若干晶体管区；在所述衬底上形成刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层表面形成阻挡层，所述阻挡层暴露出任一晶体管区上的刻蚀停止层；进行若干次循环工艺，直至在各晶体管区上分别形成功函结构，且各功函...

一种测试结构及其形成方法、测试方法，其中测试结构包括：位于所述若干待测器件一侧的第一焊盘阵列，所述第一焊盘阵列包括第一焊盘组以及位于所述第一焊盘组两侧的第二焊盘组，所述第一焊盘组和所述第二焊盘组沿第二方向排布，所述第二方向与所述第一方向...

本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括衬底和凸立于所述衬底的分立的鳍部；在分立的所述鳍部之间形成隔离材料层，所述隔离材料层至少暴露所述鳍部的顶面区域；在所述隔离材料层和所述鳍部的顶面形成平坦化停止复合层；...

一种电迁移测试结构及其测试方法、以及测试封装结构，电迁移测试结构包括：分立设置的主测试结构和辅助测试结构，主测试结构和辅助测试结构均包括电连接的待测金属层和信号金属层，主测试结构的待测金属层为第一待测金属层，主测试结构的信号金属层为第一...

本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括衬底和凸立于所述衬底的分立的鳍部；在所述基底朝向所述鳍部一侧形成隔离材料层；去除部分区域内部分厚度的隔离材料层，形成延伸方向与所述鳍部的延伸方向交叉的第一沟槽，所述第...

一种半导体结构的形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底包括器件区和隔离区，所述器件区和隔离区的所述衬底上形成有凸立的鳍部，所述鳍部沿第一方向延伸并沿第二方向间隔排布，所述第一方向与所述第二方向相垂直；在所述鳍部露出的所述衬底上形成第一隔...

一种半导体结构的形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底中形成有沟槽；在所述沟槽的侧壁形成牺牲层，所述牺牲层的侧壁与所述沟槽的底部相垂直；在所述牺牲层的侧壁形成阻挡层；在所述沟槽的剩余空间中形成第一沟道层，所述第一沟道层覆盖所述阻挡层的侧...

一种检测装置，用于对待测物进行检测，检测装置包括：光源组件，用于提供入射光束；光束整形组件，包括用于在特定方向上对所述入射光束进行第一整形的第一光束整形单元，所述第一光束整形单元包括光束调制器以及位于所述光束调制器光路下游的聚焦准直组件...

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括衬底以及多个分立于衬底上的鳍式结构，鳍式结构包括底部鳍部和位于底部鳍部上的牺牲层以及位于牺牲层上的顶部鳍部；在衬底上形成围绕底部鳍部和牺牲层的隔离层，隔离层暴露出顶部鳍部；在隔离层上形...

一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底，包括衬底以及位于衬底上多个分立的沟道凸起结构；栅极结构，位于衬底上且横跨沟道凸起结构；栅极侧墙，位于栅极结构侧壁，且栅极侧墙与沟道凸起结构的顶部和侧壁相接触；源漏掺杂区，位于栅极结构两侧的沟道...

一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底；沟道结构层，悬置于所述基底上方，沿垂直于所述基底表面的方向，所述沟道结构层包括一个或多个依次间隔设置的沟道层；栅极结构，位于所述基底上方，所述栅极结构横跨所述沟道结构层且包围所述沟道层，...

一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底，包括衬底以及凸立于所述衬底的鳍部；栅极结构，位于所述衬底上且横跨所述鳍部，所述栅极结构覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁；层间介质层，位于所述栅极结构侧部的衬底上，所述层间介质层覆盖所述栅...

一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底；沟道结构层，悬置于基底上方，沿垂直于基底表面的方向，沟道结构层包括一个或多个依次间隔设置的沟道层；栅极结构，位于基底上方，栅极结构横跨沟道结构层且包围沟道层，栅极结构中位于基底和相邻沟道...

一种半导体结构的形成方法，所述方法在所述栅极沟槽、所述第一通槽和所述第二通槽内依次形成栅介质层和位于所述栅介质层上的功函数层之后，形成保形覆盖所述功函数层的保护层，在后续去除所述第一器件区的遮挡层过程中可以有效防止所述栅介质层的顶部受到...