电迁移测试结构及其测试方法、以及测试封装结构技术

一种电迁移测试结构及其测试方法、以及测试封装结构，电迁移测试结构包括：分立设置的主测试结构和辅助测试结构，主测试结构和辅助测试结构均包括电连接的待测金属层和信号金属层，主测试结构的待测金属层为第一待测金属层，主测试结构的信号金属层为第一信号金属层，第一待测金属层与第一信号金属层堆叠设置，并通过位于两者之间的通孔互连结构实现电连接；辅助测试结构的待测金属层为第二待测金属层，辅助测试结构的信号金属层为第二信号金属层，第二待测金属层与第二信号金属层同层设置并直接相连，第一待测金属层与所述第二待测金属层同层设置。所述测试结构提高了电迁移测试的数据可靠性、缩短测试周期、节省样品，以及提高失效分析的产能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种电迁移测试结构及其测试方法、以及测试封装结构。

技术介绍

1、在半导体制造中，金属互连线的电迁移(electron-migration，em)可靠性是评估半导体互连线制造工艺的一个重要的指标，也是限制工艺微缩技术瓶颈之一，还是影响半导体器件可靠性性能的主要因素。

2、其中，在器件工作时，金属互连线内有一定电流通过并产生电场，电子随电场的定向移动发生与金属原子发生动量交换，形成金属离子的迁移，金属离子的迁移容易在金属互连线的局部区域产生空洞，且当所述空洞达到一定程度时，金属互连线的电阻大大增加，从而导致电迁移可靠性下降或失效。

3、为了判断所形成的金属互连线的可靠性，电迁移测试成为了评估半导体器件可靠性的重要测试项目，进而检验半导体器件的性能。

技术实现思路

1、本专利技术实施例解决的问题是提供一种电迁移测试结构及其测试方法、以及测试封装结构，提高电迁移测试的数据可靠性、缩短测试周期、节省样品，以及提高失效分析的产能。</p>

2、为解本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电迁移测试结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的电迁移测试结构，其特征在于，所述第一待测金属层和第二待测金属层的各尺寸相同，所述尺寸包括有效长度、宽度和厚度。

3.如权利要求1所述的电迁移测试结构，其特征在于，所述第二信号金属层包括主体部以及连接主体部和第二待测金属层的连接部，沿所述主体部指向第二待测金属层的方向，所述连接部的宽度递减，且所述连接部和第二待测金属层在交界处的宽度相同。

4.如权利要求1所述的电迁移测试结构，其特征在于，所述第一待测金属层和所述通孔互连结构为一体结构。

5.如权利要求1所述的电迁移测试结构，其...

【技术特征摘要】

1.一种电迁移测试结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的电迁移测试结构，其特征在于，所述第一待测金属层和第二待测金属层的各尺寸相同，所述尺寸包括有效长度、宽度和厚度。

3.如权利要求1所述的电迁移测试结构，其特征在于，所述第二信号金属层包括主体部以及连接主体部和第二待测金属层的连接部，沿所述主体部指向第二待测金属层的方向，所述连接部的宽度递减，且所述连接部和第二待测金属层在交界处的宽度相同。

4.如权利要求1所述的电迁移测试结构，其特征在于，所述第一待测金属层和所述通孔互连结构为一体结构。

5.如权利要求1所述的电迁移测试结构，其特征在于，沿所述第一待测金属层与第一信号金属层的堆叠方向，所述第一待测金属层位于所述第一信号金属层的上方，或者，所述第一待测金属层位于所述第一信号金属层的下方。

6.如权利要求1～5任一项所述的电迁移测试结构，其特征在于，在所述主测试结构和辅助测试结构中的任意一个中，所述信号金属层分别位于相对应的所述待测金属层两侧，并分别与相对应的所述待测金属层的两端电连接，位于所述待测金属层一侧的信号金属层包括第一信号施加端和第一检测端，位于所述待测金属层另一侧的信号金属层包括第二信号施加端和第二检测端。

7.如权利要求1～5任一项所述的电迁移测试结构，其特征在于，所述待测金属层和信号金属层均包括：导电层、以及覆盖所述导电层的底部和侧壁的粘附阻挡层；

8.一种测试封装结构，其特征在于，包括：

9.如权利要求8所述的测试封装结构，其特征在于，所述测试封装结构还包括：引线，电连接所述第一焊盘和相对应的第二焊盘。

10.一...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩兆翔，杨莉娟，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：