【技术实现步骤摘要】
本公开属于半导体领域，具体涉及半导体结构及其制造方法、存储芯片、电子设备。
技术介绍
1、半导体结构包括多个存储单元，存储单元需要与外围电路连接以执行存储功能。半导体结构的集成度越高，则其可容纳的存储单元的数目越多，半导体结构的性能也更为优异。然而，目前半导体结构内的空间浪费较多；此外，受制于物理特性的因素，存储单元的体积已达到缩放极限；受制于工艺因素，存储单元的堆叠层数也难以提高。
2、因此，亟需一种新架构的半导体结构，以提高半导体结构的集成度。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种半导体结构及其制造方法、存储芯片、电子设备，至少有利于提高半导体结构的集成度。
2、根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种半导体结构，其中，半导体结构包括：基底，所述基底上具有堆叠结构，所述堆叠结构包括在第一方向排列的多个存储单元组，所述存储单元组包括多层在第二方向排列的多个存储单元；所述堆叠结构还包括在所述第二方向排列的多条平行信号线，每条所述平行信号线连接一层所述存储单...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，所述基底上具有堆叠结构，所述堆叠结构包括在第一方向排列的多个存储单元组，所述存储单元组包括多层在第二方向排列的多个存储单元；
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，与不同所述平行信号线连接的所述引线柱在所述第二方向上的长度不同，且所述引线柱的底部与所述平行信号线相连。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，所述基底上具有堆叠结构，所述堆叠结构包括在第一方向排列的多个存储单元组，所述存储单元组包括多层在第二方向排列的多个存储单元；
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，与不同所述平行信号线连接的所述引线柱在所述第二方向上的长度不同，且所述引线柱的底部与所述平行信号线相连。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，相邻所述引线柱等在所述第一方向上等间距排布；或者，
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述堆叠结构还包括：
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述堆叠结构还包括：介质层，至少位于所述引线柱朝向所述平行信号线的侧壁，且所述介质层的下表面高于与所述引线柱相连的所述平行信号线。
9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述存储单元包括在所述第三方向排列的沟道区和源漏掺杂区，所述源漏掺杂区位于所述沟道区的两侧。
10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述平行信号线为位线，所述位线与所述源漏掺杂区相连。
11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述引线柱和所述存储单元分别位于所述平行信号线在所述第三方向排列的相对两侧。
12.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述引线柱在所述第一方向上的宽度大于或等于存储单元组的宽度；和/或，
13.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述引线柱与所述存储单元组在所述第三方向上正对；或者，
14.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述引线柱和所述存储单元位于所述平行信号线的同一侧。
15.根据权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，所述引线柱在所述第三方向上的宽度大于所述引线柱在所述第一方向上的宽度。
16.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，相邻两个堆叠结构的所述平行信号线相向设置，所述引线柱位于相邻所述堆叠结构的所述平行信号线之间，且相邻所述堆叠结构的同一层的所述平行信号线至少通过一个所述引线柱电连接。
17.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述存储单元组的每层所述存储单元的数量为两个，且两个所述存储单...
【专利技术属性】
技术研发人员：王弘，李晓杰，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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