半导体装置制造方法及图纸

技术编号：40048197 阅读：6 留言：0更新日期：2024-01-16 20:47

半导体元件(40H、40L)在Y方向上排列，臂连接部(80)位于其间。P端子(91P)及N端子(91N)配置在Y方向的相同侧。基板(50、60)夹着半导体元件(40H、40L)。基板(50、60)具有绝缘基材、表面金属体、背面金属体。封固体(30)将表面金属体与半导体元件一起封固。表面金属体(62)具有N布线(64)及中继布线(65)。N布线具有在Y方向上与中继布线排列而配置的基部(640)、以及以在X方向上夹着中继布线的方式从基部沿Y方向延伸并且分别连接着N端子的一对延伸设置部(641)。在X方向上，中继布线的端部(650)的长度L1、基部的对置边(640a)的长度L2、基部的元件配置区域(640b)的长度L3满足L1<L2<L3的关系。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及半导体装置。

技术介绍

1、专利文献1公开了构成一相的上下臂电路的两面散热构造的半导体装置。现有技术文献的记载内容通过参照而作为本说明书中的技术要素的说明而加以引用。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2015-57807号公报

技术实现思路

1、在专利文献1的半导体装置中，与构成上臂的元件连接的热沉以及与构成下臂的元件连接的热沉从封固体的一面露出。这些热沉彼此电位不同，所以通过在热沉间设置规定的间隔而确保了爬电距离。因此，相互反向地流动的电流所带来的磁通抵消的效果降低。近年来，要求主电路电感的进一步降低。根据上述观点或未言及的其他观点，对于半导体装置要求进一步的改良。

2、本公开的一个目的在于，提供能够将电感降低的半导体装置。

3、这里公开的半导体装置，具备：作为多个半导体元件的第1元件及第2元件，具有第1主电极和第2主电极，第2主电极形成于在板厚方向上与第1主电极相反的面，第1元件构成上下臂电路的臂的一个，第2元件构成臂的另一个，第2元件与第1元件在与板厚方向正交的第1方向上排列配置；作为多个电源端子的第1电源端子及第2电源端子，以在第1方向上第1元件位于多个电源端子与第2元件之间的方式配置，第1电源端子与第1元件的第1主电极电连接，第2电源端子与第2元件的第2主电极电连接；第1基板，具有第1绝缘基材、在第1绝缘基材的表面配置的第1表面金属体、和在第1绝缘基材的背面配置的第1背面金属

4、根据所公开的半导体装置，第1基板的表面金属体及第2基板的第2表面金属体提供对于半导体元件的布线功能。第1表面金属体及第2表面金属体被封固体封固。由于可以不像以往那样确保爬电距离，所以能够将第2电源布线和第2中继布线接近而配置。由此，反向流动的电流所带来的磁通抵消的效果提高，能够降低电感。此外，通过满足上述的尺寸关系，特别是关于第2元件附近的电流，第1方向的成分提高。由此，基于第2电源布线的电流路径、即第2元件与第2主端子之间的电流路径变短。因而，能够降低电感。结果，能够提供能够降低电感的半导体装置。

5、本说明书公开的多个技术方案为了达成各自的目的而采用了相互不同的技术手段。在权利要求书及其项目中记载的括号内的标号例示性地表示与后述实施方式的部分的对应关系，并不意欲限定技术范围。本说明书公开的目的、特征及效果通过参照后续的详细说明及附图会变得更明确。

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【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

4.如权利要求2或3所述的半导体装置，其特征在于，

5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

6.如权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

7.如权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

9.如权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体装置，其特征在于，

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

4.如权利要求2或3所述的半导体装置，其特征在于，

5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：川岛崇功，奥村知巳，荒井俊介，井上德大，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：

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