温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制造方法、存储芯片、电子设备，半导体结构包括：基底，所述基底上具有堆叠结构，所述堆叠结构包括在第一方向排列的多个存储单元组，所述存储单元组包括多层在第二方向排列的多个存储单元；所述堆叠结构还...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。