本申请提供一种半导体物料搬运系统，所述系统包括：生产区间，由依次连接的第一主轨道

一种光学邻近校正方法及系统

本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括标记区，所述标记区包括硅衬底，所述硅衬底上包括第一介质层；在所述第一介质层和所述硅衬底中形成第一开口；在所述第一开口的部分底部形成第一标记结构，且所述...

一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底；第一介质层，位于基底上；源漏互连层，位于第一介质层中，源漏互连层的顶部高于第一介质层的顶部；粘附阻挡层，位于源漏互连层侧壁和第一介质层之间

本申请提供一种离子注入方法，采用离子注入机在晶圆中注入砷离子，并用于降低所述晶圆的金属污染含量，包括：通过所述离子注入机的离子源产生砷离子束，所述砷离子束包括多种不同质荷比的掺杂离子，所述不同质荷比的掺杂离子在磁场运动中的轨迹不同；采用...

一种半导体结构的形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有叠层结构，叠层结构包括一个或多个自下而上依次堆叠的沟道叠层，沟道叠层包括占位层和位于占位层上的沟道层，基底上还形成有伪栅结构，伪栅结构横跨叠层结构

一种光学邻近修正方法及系统

一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：第一晶圆，包括第一衬底以及位于所述第一衬底上的第一介质层，第一衬底和第一介质层中形成有焊盘槽和位于所述焊盘槽内的焊盘结构，沿所述第一衬底指向所述第一介质层的方向所述焊盘槽贯穿所述第一衬底并...

一种测试结构及其形成方法，测试结构包括：多根金属线，沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列，沿第一方向包括测试区

一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：第一晶圆，包括第一衬底以及位于所述第一衬底上的第一介质层，所述第一衬底中形成有呈阵列排布的多个硅通孔结构，沿所述第一衬底指向所述第一介质层的方向所述硅通孔结构贯穿所述第一衬底且延伸至部分厚...

一种半导体结构及其形成方法，所述方法在对栅介质层执行沉积后退火处理之前，形成保形覆盖所述栅介质层的保护层，以在后续对所述栅介质层执行沉积后退火处理的过程中提高所述栅介质层的结晶温度，从而可以在后续对所述栅介质层执行沉积后退火处理的过程中...

一种半导体互连可靠性结构及其形成方法，半导体互连可靠性结构包括：多根金属线，沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列，沿第一方向包括非引线区

本申请提供一种寄生参数抽取包检测系统及方法，所述方法包括：通过数据获取模块向

本申请提供一种三轨天车轨道及其设计方法，所述方法包括：提供一种三轨天车轨道；设置参考点，以所述参考点为圆心建立坐标系，定义所述三轨天车轨道中任意分叉点的坐标为

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：在开口中形成第一源漏插塞，第一源漏插塞露出第一纵向保护层的部分侧壁，且第一源漏插塞与源漏掺杂层电连接；去除第一源漏插塞露出的第一纵向保护层

一种半导体结构的形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有叠层结构以及伪栅结构，叠层结构包括一个或多个自下而上依次堆叠的沟道叠层，沟道叠层包括占位层和位于占位层上的沟道层，伪栅结构横跨叠层结构

一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底，包括器件区；晶体管结构，位于所述器件区中，包括位于基底上的栅极结构

一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底，所述基底上形成有介电层；第一金属层，位于所述介电层中，所述第一金属层包括沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列的金属线层

一种测试结构及测试方法，方法包括：提供测试结构，测试结构包括基底

一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底；线圈结构，位于所述基底上，所述线圈结构包括沿纵向堆叠的多个线圈层，多个所述线圈层相互电连接，每个所述线圈层均包括多个同心环绕的线圈，且每个所述线圈层的线圈与沿纵向相邻的线圈正对设置；沟槽...