半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：第一晶圆，包括第一衬底以及位于所述第一衬底上的第一介质层，第一衬底和第一介质层中形成有焊盘槽和位于所述焊盘槽内的焊盘结构，沿所述第一衬底指向所述第一介质层的方向所述焊盘槽贯穿所述第一衬底并延伸至部分厚度的所述第一介质层中；隔离环结构，在所述第一衬底中环绕所述焊盘槽设置且沿所述第一衬底指向所述第一介质层的方向贯穿所述第一衬底

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法
。

技术介绍

[0002]根据工作原理以及物理架构的不同，图像传感器通常分为电荷耦合器件
(Charge Coupled Device
，
CCD)
图像传感器和互补金属氧化物半导体图像传感器
(CMOS Image Sensor
，
CIS)
两类
。CMOS
图像传感器具有低功耗
、
低成本以及与
CMOS
工艺相兼容等特点，因而得到越来越广泛的应用
。
[0003]在目前的制造工艺中，通常采用堆叠芯片技术，如
3D
堆叠芯片技术，将图像传感模块制作在一个芯片里，将信号处理模块制作在另一个芯片里，随后通过晶圆之间的键合将芯片堆叠在一起，形成图像传感器
。
同时，为了避免金属互连层对进入感光半导体的光线的阻挡，提高像素单元对光的利用效率，采用背照式/>(Back Si本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种半导体结构，其特征在于，包括：第一晶圆，包括第一衬底以及位于所述第一衬底上的第一介质层，第一衬底和第一介质层中形成有焊盘槽和位于所述焊盘槽内的焊盘结构，沿所述第一衬底指向所述第一介质层的方向所述焊盘槽贯穿所述第一衬底并延伸至部分厚度的所述第一介质层中；隔离环结构，在所述第一衬底中环绕所述焊盘槽设置且沿所述第一衬底指向所述第一介质层的方向贯穿所述第一衬底
。2.
根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离环结构为一个或多个
。3.
根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离环结构与所述焊盘槽之间的间隔距离大于
10
μ
m。4.
根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离环结构包括以下至少一种：第一深沟槽隔离结构；浅沟槽隔离结构和位于所述浅沟槽隔离结构上的第二深沟槽隔离结构
。5.
根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一深沟槽隔离结构包括第一深沟槽
、
位于所述第一深沟槽底部和侧壁的第一隔离层和位于所述第一隔离层上且填充所述第一深沟槽的第一隔离材料层
。6.
根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一隔离层的材料包括氧化硅
、
氮化硅和高
k
介质材料中至少一种
。7.
根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一隔离材料层包括多晶硅
、
铜和钨中至少一种
。8.
根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构的材料包括浅沟槽和位于所述浅沟槽内的第二隔离材料层
。9.
根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第二深沟槽隔离结构包括第二深沟槽
、
位于所述第二深沟槽底部和侧壁的第二隔离层和位于所述第二隔离层上且填充所述第二深沟槽的第三隔离材料层
。10.
根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述第二隔离层的材料包括氧化硅
、
氮化硅和高
k
介质材料中至少一种
。11.
根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述第三隔离材料层包括多晶硅
、
铜和钨中至少一种
。12.
根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：第二晶圆，与所述第一晶圆相键合，且包括第二衬底和位于所述第二衬底上的第二介质层，所述第二介质层朝向所述第一介质层
。13.
根据权利要求
12
所述的半导体结构，其特征在于，所述第一晶圆还包括：第一互连结构，位于所述第一介质层中且与所述焊盘结构电连接；第一键合互连层，位于所述焊盘结构的上方的所述第一介质层中，且分别与所述焊盘结构和所述第二晶圆电连接
。14.
根据权利要求
13
所述的半导体结构，其特征在于，所述第二晶圆还包括：第二互连结构，位于所述第二衬底中；第二键合互连层，位于所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：王丙泉，张斯日古楞，阎大勇，王志高，张大明，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：