一种半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成图案化的光阻层；采用含卤族元素的刻蚀气体对所述光阻层进行第一刻蚀，在所述第一刻蚀中，所述卤族元素粘附到所述光阻层的上表面上，并与所述光阻层的上表面的表层反应形成抗蚀络合物层

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件
，特别涉及一种半导体器件的制造方法
。

技术介绍

[0002]在
55
纳米图像传感器
(CIS
，
Contact Image Sensor)
的制造流程中，通常在光阻曝光显影后，有两道应用于离子注入
(IMP
，
Ion implantation)
的光阻
(PR)
微缩
(descum)
制程，需要通过在光阻曝光显影后进行刻蚀，用以微缩
PR
关键尺寸
(CD)
分别实现二次
IMP
，而出于第二次
IMP
的遮挡需求，第二次微缩制程之后的光阻残值
(
在垂直方向上，或者说光阻的厚度
)
需大于
300nm。
[0003]两道应用于离子注入的光阻微缩制程中的第一道为初步微缩光阻层以用于二次
IMP
中的第一次离子注入，其一般把本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成图案化的光阻层；采用含卤族元素的刻蚀气体对所述光阻层进行第一刻蚀，在所述第一刻蚀中，所述卤族元素粘附到所述光阻层的上表面上，并与所述光阻层的上表面的表层反应形成抗蚀络合物层
。2.
如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述光阻层的材质包括
248
纳米的光阻材料和
/
或
193
纳米的光阻材料
。3.
如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述光阻层的材质包括聚甲基丙烯酸酯衍生物
、
聚对羟基苯乙烯及聚对羟基苯乙烯衍生物中的至少一种
。4.
如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述半导体衬底上形成图案化的光阻层的步骤包括：对所述光阻层进行曝光
、
显影，形成图案化的光阻层
。5.
如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在对所述光阻层进行曝光
、
显影之后，且在采用含卤族元素的刻蚀气体对所述光阻层进行第一刻蚀之前，先对所述光阻层进行第二刻蚀，所述光阻层的关键尺寸在所述第二刻蚀中的微缩量小于其在所述第一刻蚀中的微缩量
。6.
如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖军，曾凡维，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：