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本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成图案化的光阻层；采用含卤族元素的刻蚀气体对所述光阻层进行第一刻蚀，在所述第一刻蚀中，所述卤族元素粘附到所述光阻层的上表面上，并与所述光阻层的上表面的表...
该专利属于粤芯半导体技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过粤芯半导体技术股份有限公司授权不得商用。

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