一种高填充因子的非制冷红外探测器结构及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高填充因子的非制冷红外探测器结构及制备方法

【技术实现步骤摘要】
一种高填充因子的非制冷红外探测器结构及制备方法


[0001]本专利技术涉及红外成像领域，具体涉及一种基于集成电路工艺，具有高填充因子非制冷红外 探测器的结构及制备方法
。

技术介绍

[0002]非制冷红外热像仪利用红外辐射实现热效应成像，因无需制冷
、
体积小
、
重量轻
、
成本低
、 功耗小
、
无需借助环境光源等优点，在航空
、
航天
、
电子
、
汽车
、
医疗
、
国防等军民用领域有 着广泛应用
。
[0003]目前适用范围较广的非制冷红外热像仪主要使用基于
MEMS
工艺制备的氧化钒和非晶硅 类红外探测器，该类探测器的基本结构是由红外吸收体，氧化钒或非晶硅热敏电阻，支撑臂， 热隔离腔构成
。
其中红外吸收体可以吸收红外辐射并将其转化为热能，引起自身温度升高，然 后改变热敏电阻阻值的大小，形成电学信号，最后通过读出电路采集；支撑臂本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种高填充因子的非制冷红外探测器结构，其特征在于，该非制冷红外探测器结构由
CMOS
工艺和
post
‑
CMOS
工艺制备得到，包括硅衬底
、
热隔离腔
、
红外吸收体
、
热电转换结构
、
支撑臂和掩模层；所述硅衬底用于制备探测器电信号的读取电路，所述读取电路与热电转换结构相连；所述热隔离腔位于红外吸收体的下方，用于将红外吸收体与周围结构分离；所述支撑臂悬于吸收体上方，一端通过支撑柱与吸收体相连，另一端延伸至探测器基体与其相连；所述掩模层分别位于红外吸收体
、
支撑臂和读取电路的上方
。2.
根据权利要求1所述的一种高填充因子的非制冷红外探测器结构，其特征在于，所述热隔离腔为在硅衬底上形成的具有固定深度的
T
型
、V
型或矩形腔
。3.
根据权利要求1所述的一种高填充因子的非制冷红外探测器结构，其特征在于，所述硅衬底和红外吸收体之间还设有介质层，所述热隔离腔设置在介质层当中
。4.
根据权利要求1所述的一种高填充因子的非制冷红外探测器结构，其特征在于，所述吸收体结构为反射腔结构
、
共振腔结构或者等离激元结构
。5.
根据权利要求1所述的一种高填充因子的非制冷红外...

【专利技术属性】
技术研发人员：纪小丽，郭耀祖，马浩澜，徐胜，朱昊昱，朱伟，王珂，张丽，闫锋，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：