【技术实现步骤摘要】
本申请涉及晶圆处理，尤其是涉及一种晶圆光刻过程中对准失败的处理方法及装置。
技术介绍
1、目前业内处理曝光晶圆对准失败的方法都是比较繁琐的，在遇到对准失败后，如果是asml机台，会将未曝光但有光刻胶的晶圆退回晶圆盒等待人工处理，人工处理需要通过查找机台端曝光报告判断对准失败的原因，确认晶圆id、产品相关信息，确认是否有补曝显程序（如果没有，需要新建程序，重上ppid（机台连接控制系统）、r2r（给定曝光条件）等信息，然后开runcard（特殊步骤）将对准失败的晶圆补曝显，这个过程大概需要20分钟；如果是canon机台则会停滞在晶圆工件台等待人工处理，如果人工未及时处理或尝试多次都没有成功，就会导致后面的晶圆堆货，严重影响跑货效率，无论是哪个机台的处理手段都是影响曝光机台的曝光效率并需要花费人工大量的时间去处理。并且，涂在晶圆上的光刻胶是有时效性的arf 40 min、duv 90 min（不同精度机台对时效性要求不同），一旦超了时效，就需要返工（洗掉光阻，重新涂胶再曝光）影响机台产能。因此智能快速处理晶圆对准失败是非常有必要性的。>
<本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种晶圆光刻过程中对准失败的处理方法，其特征在于，所述处理方法包括：
2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述根据所述目标对准标记，并按照所述目标光刻阶段的操作流程对所述晶圆进行再处理，包括：
3.根据权利要求2所述的处理方法，其特征在于，在根据所述控制程序控制进行位姿修正完成的目标机台按所述目标光刻阶段的操作流程对所述晶圆进行再处理之前，所述处理方法还包括：
4.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述按预设选取规则从所述至少一个未使用的备用对准标记中，确定所述目标光刻阶段对晶圆进行再处理所需的目标对准标记，包
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【技术特征摘要】
1.一种晶圆光刻过程中对准失败的处理方法，其特征在于，所述处理方法包括：
2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述根据所述目标对准标记，并按照所述目标光刻阶段的操作流程对所述晶圆进行再处理，包括：
3.根据权利要求2所述的处理方法，其特征在于，在根据所述控制程序控制进行位姿修正完成的目标机台按所述目标光刻阶段的操作流程对所述晶圆进行再处理之前，所述处理方法还包括：
4.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述按预设选取规则从所述至少一个未使用的备用对准标记中，确定所述目标光刻阶段对晶圆进行再处理所需的目标对准标记，包括：
5.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述在处理完成后获取质量评估参数，包括：
6.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述质量评估参数中包...
【专利技术属性】
技术研发人员：王豫，钟鸿轩，赵鹏，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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