一种异质结电池结构及光伏组件制造技术

本技术的实施例提供了一种异质结电池结构及光伏组件，涉及太阳能电池领域。该异质结电池结构包括第一钝化层、第一掺杂层、硅片、第二掺杂层以及第二钝化层，第一钝化层和第一掺杂层设置于硅片的正面，第二钝化层和第二掺杂层设置于硅片的背面；其中，第一钝化层包括VTTO层、AZCO层、AZO层以及ITO层，VTTO层、AZCO层、AZO层以及ITO层依次设置在第一掺杂层的正面。在第一掺杂层的正面依次设置VTTO层、AZCO层、AZO层以及ITO层，在保证钝化效果的情况下，能够降低钝化层的含铟量，从而减小接触电阻，而且VTTO层、AZCO层、AZO层均采用无铟材料，保证了电池效率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及太阳能电池，具体而言，涉及一种异质结电池结构及光伏组件。

技术介绍

1、随着科技的不断进步和发展，光伏领域逐渐壮大，越来越多不同类型的电池广泛应用于工业领域以及日常生活中。异质结电池就是其中一种电池类型。异质结太阳电池英文名称缩写为hit(heterojunction with intrinsic thin-layer)，异质结电池具有转换效率高、温度特性良好、制造工艺流程较短等优势。

2、现有技术中的异质结电池结构存在接触电阻较大的技术问题。

技术实现思路

1、本技术提供了一种异质结电池结构及光伏组件，其能够降低接触电阻，同时保证电池效率。

2、本技术的实施例可以这样实现：

3、本技术的实施例提供了一种异质结电池结构，其包括第一钝化层、第一掺杂层、硅片、第二掺杂层以及第二钝化层，所述第一钝化层和所述第一掺杂层设置于所述硅片的正面，所述第二钝化层和所述第二掺杂层设置于所述硅片的背面；

4、其中，所述第一钝化层包括vtto层、azco层、azo层以及it本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种异质结电池结构，其特征在于，包括第一钝化层、第一掺杂层(50)、硅片(60)、第二掺杂层(70)以及第二钝化层(80)，所述第一钝化层和所述第一掺杂层(50)设置于所述硅片(60)的正面，所述第二钝化层(80)和所述第二掺杂层(70)设置于所述硅片(60)的背面；

2.根据权利要求1所述的异质结电池结构，其特征在于，所述AZCO层(30)的厚度为所述VTTO层(40)的厚度的2倍-5倍。

3.根据权利要求1所述的异质结电池结构，其特征在于，所述VTTO层(40)的厚度为15nm-45nm。

4.根据权利要求1所述的异质结电池结构，其特征在于，所...

【技术特征摘要】

1.一种异质结电池结构，其特征在于，包括第一钝化层、第一掺杂层(50)、硅片(60)、第二掺杂层(70)以及第二钝化层(80)，所述第一钝化层和所述第一掺杂层(50)设置于所述硅片(60)的正面，所述第二钝化层(80)和所述第二掺杂层(70)设置于所述硅片(60)的背面；

2.根据权利要求1所述的异质结电池结构，其特征在于，所述azco层(30)的厚度为所述vtto层(40)的厚度的2倍-5倍。

3.根据权利要求1所述的异质结电池结构，其特征在于，所述vtto层(40)的厚度为15nm-45nm。

4.根据权利要求1所述的异质结电池结构，其特征在于，所述vtto层(40)的折射率为2.15-2.35。

5.根据权利要求1所述的异质结电池结构，其特征在于，所述azo层(20)的厚度为所...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈琪琳，李贺杰，丰平，
申请(专利权)人：中润新能源滁州有限公司，
类型：新型
国别省市：