太阳能电池、电池组件及光伏系统技术方案

技术编号:46571833 阅读:1 留言:0更新日期:2025-10-10 21:17
本申请适用于光伏技术领域,提供了一种太阳能电池、电池组件及光伏系统,包括硅基底、设置于所述硅基底上的掺杂层以及设置于所述掺杂层背离所述硅基底的一侧表面上的钝化层,所述太阳能电池还包括减反射层,所述钝化层和所述减反射层之间第二介电层,本申请由于在钝化层和减反射层之间第二介电层,避免造成减反射层气泡脱膜现象,可以改善太阳能电池的钝化能力和透光能力,减少寄生吸收,有利于提高太阳能电池的光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于光伏,尤其涉及一种太阳能电池、电池组件及光伏系统


技术介绍

1、太阳能电池发电为一种可持续的清洁能源来源,其利用半导体p-n结的光生伏特效应可以将太阳光转化成电能。

2、相关技术中,太阳能电池通常利用氧化铝(alxoy)层的钝化层形成在硅基板的表面上以减少存在于硅基板表面上的复合中心。氮化硅(sixny)层可被进一步沉积在氧化铝层上,氮化硅层充当抗反射涂层层,以减少从所形成的太阳能电池装置反射的入射辐射部分,以提高太阳能电池的表面反射率。

3、然而,当alxoy/sixny薄膜堆叠经受高于500℃的热处理时,堆叠中的氮化硅层倾向于起泡。具体而言,薄膜起泡在界面处发生,容易产生气泡脱膜现象,导致光电转换效率较低。

4、申请内容

5、本申请提供一种太阳能电池,旨在解决薄膜起泡在界面处发生,容易产生气泡脱膜现象,导致光电转换效率较低的问题。

6、本申请是这样实现的,一种太阳能电池,包括硅基底、设置于所述硅基底上的掺杂层以及设置于所述掺杂层背离所述硅基底的一侧表面上的钝化层,所述太阳能电池还包本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种太阳能电池,其特征在于,包括硅基底、设置于所述硅基底上的掺杂层以及设置于所述掺杂层背离所述硅基底的一侧表面上的钝化层,所述太阳能电池还包括减反射层,所述减反射层设置于所述钝化层远离所述硅基底一侧表面上,所述钝化层和所述减反射层之间设置第二介电层。

2.如权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述减反射层至少包括第一减反射膜层、第二减反射膜层、第三减反射膜层和第四减反射膜层,所述第一减反射膜层、所述第二减反射膜层、所述第三减反射膜层和所述第四减反射膜层的膜层厚度不同。

3.如权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一减反射膜层的厚度小于所述第二减反射...

【技术特征摘要】

1.一种太阳能电池,其特征在于,包括硅基底、设置于所述硅基底上的掺杂层以及设置于所述掺杂层背离所述硅基底的一侧表面上的钝化层,所述太阳能电池还包括减反射层,所述减反射层设置于所述钝化层远离所述硅基底一侧表面上,所述钝化层和所述减反射层之间设置第二介电层。

2.如权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述减反射层至少包括第一减反射膜层、第二减反射膜层、第三减反射膜层和第四减反射膜层,所述第一减反射膜层、所述第二减反射膜层、所述第三减反射膜层和所述第四减反射膜层的膜层厚度不同。

3.如权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一减反射膜层的厚度小于所述第二减反射膜层的厚度,所述第二减反射膜层的厚度小于所述第三减反射膜层的厚度,所述第三减反射膜层的厚度小于所述第四减反射膜层的厚度。

4.如权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一减反射膜层和所述第二减反射膜层之间、所述第二减反射膜层和所述第三减反射膜层之间和所述第三减反射膜层和所述第四减反射膜层之间中至少一者设置第三介电层。

5.如权利要求4所述的太阳能电池,其特征在于,所述第三减反射膜层和所述第四减反射膜层之间设置所述第三介电层。

6.如权利要求4所述的太阳能电池,其特征在于,所述掺杂层和所述钝化层之间设置第一介电层。

7.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘海超陈刚
申请(专利权)人:浙江爱旭太阳能科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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