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一种半导体结构及其形成方法,所述半导体结构包括:第一晶圆,包括第一衬底以及位于所述第一衬底上的第一介质层,第一衬底和第一介质层中形成有焊盘槽和位于所述焊盘槽内的焊盘结构,沿所述第一衬底指向所述第一介质层的方向所述焊盘槽贯穿所述第一衬底并延伸...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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一种半导体结构及其形成方法,所述半导体结构包括:第一晶圆,包括第一衬底以及位于所述第一衬底上的第一介质层,第一衬底和第一介质层中形成有焊盘槽和位于所述焊盘槽内的焊盘结构,沿所述第一衬底指向所述第一介质层的方向所述焊盘槽贯穿所述第一衬底并延伸...