光学邻近修正方法及系统技术方案

一种光学邻近修正方法及系统

【技术实现步骤摘要】
光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质


[0001]本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光学邻近修正方法及系统
、
掩膜版
、
设备及存储介质
。

技术介绍

[0002]为实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面，通常需要经过曝光步骤
、
曝光步骤之后进行的显影步骤和显影步骤之后的刻蚀步骤
。
在曝光步骤中，光线通过掩膜版中透光的区域照射至涂覆有光刻胶的硅片上，光刻胶在光线的照射下发生化学反应；在显影步骤中，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度的不同，形成光刻图案，实现图案从掩膜版到光刻胶上的转移；在刻蚀步骤中，基于光刻胶层所形成的光刻图案对硅片进行刻蚀，将掩膜版的图案进一步转移至硅片上
。
[0003]然而随着器件的尺寸日益缩小，在经过光刻制程之后，芯片表面的图案与原始光罩图案之间的差异也随之增大
。
为了避免光学邻近效应造成芯片上的图案与掩膜版图案不一致，目前解决的方法通常是对掩膜版图案进行光学邻近修正
(op本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：提供多个设计图形，所述设计图形包括相邻的待测图形和参考图形，所述参考图形包括参考边，所述参考图形和
/
或所述待测图形包括与所述参考边满足距离阈值条件的待选边，所述距离阈值条件具有预设距离阈值；以所述参考边为基准，在所述待选边上寻找与所述参考边端点的距离等于所述预设距离阈值的点，作为分割点；根据所述分割点将所述待选边分割成多个线段，并选取满足所述距离阈值条件的线段作为待处理边；对所述待处理边进行修正处理，以实现对所述设计图形的图形修正
。2.
如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述方法还包括：以所述参考边为基准形成方形搜索框，所述方形搜索框具有与所述参考边重叠的第一边
、
以及与所述第一边平行的第二边，所述第二边与所述第一边的距离为所述预设距离阈值，所述方形搜索框的剩余两条边与所述参考边同侧端点的距离为所述预设距离阈值；将所述搜索框选中的任一边作为满足距离阈值条件的待选边
。3.
如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述以所述参考边为基准，在所述待选边上寻找与所述参考边端点的距离等于所述预设距离阈值的点，包括：判断所述待选边在所述参考边所在基准线上的投影与所述参考边的位置关系；当所述投影位于所述参考边内时，将所述待选边作为所述待处理边；当所述投影与所述参考边部分重合或不重合时，比较所述参考边与待选边同侧端点的距离与所述预设距离阈值；当所述距离均小于或等于所述预设距离阈值时，将所述待选边作为所述待处理边；当所述距离大于所述预设距离阈值时，在所述待选边上寻找与所述参考边端点的距离等于所述预设距离阈值的点
。4.
如权利要求3所述的光学邻近修正方法，其特征在于，判断所述待选边在所述参考边所在基准线上的投影与所述参考边的位置关系包括：判断所述待选边两端点在所述参考边所在基准线上的投影位置与所述参考边的位置关系；当所述待选边两端点的投影位置均位于所述参考边上时，判定所述待选边在所述参考边所在基准线上的投影位于所述参考边内；当所述待选边两端点的投影位置中任一个位于所述参考边外侧，或者，所述待选边两端点的投影位置均位于所述参考边外侧，且位于所述参考边的两侧时，判定所述待选边在所述参考边所在基准线上的投影与所述参考边部分重合；当所述待选边两端点的投影位置均位于所述参考边外侧，且位于所述参考边的同侧时，判定所述待选边在所述参考边上的投影与所述参考边不重合
。5.
如权利要求4所述的光学邻近修正方法，其特征在于，判断所述待选边两端点在所述参考边所在基准线上的投影位置与所述参考边的位置关系之前，所述方法还包括：以所述参考边任一端点为原点，并以所述原点指向所述参考边另一端点为第一向量；以所述待选边与所述原点同侧的端点为第一点，并以所述原点指向所述第一点为第二向量；以所述待选边的另一端点为第二点，并以所述原点指向所述第二点为第三向量；判断所述待选边两端点在所述参考边所在基准线上的投影位置与所述参考边的位置
关系，包括：以所述待选边中待判断的端点作为待评估端点，根据向量的点积公式，计算所述待评估端点对应的第二向量或第三向量在所述第一向量上的投影值，以所述投影值与所述第一向量的模之比为辅助值；基于所述辅助值判断所述待评估端点在所述参考边所在基准线上的投影位置，当所述辅助值小于0时，判定所述待评估端点的投影位置位于所述参考边靠近所述原点的外侧；当所述辅助值大于或等于0且小于或等于1时，判定所述待评估端点的投影位置位于所述参考边上；当所述辅助值大于1时，判定所述待评估端点的投影位置位于所述参考边远离所述原点的外侧
。6.
如权利要求4所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述以所述参考边为基准，在所述待选边上寻找与所述参考边端点的距离等于所述预设距离阈值的点，作为分割点，包括：以所述待选边中投影位置位于所述参考边外侧的任一端点为第一点，以所述参考边与所述第一点同侧的端点为原点，以所述原点指向所述第一点为第二向量；以所述待选边另一端点为第二点，以所述第一点指向所述第二点为第四向量；在所述待选边上选取第三点；以所述第一点指向所述第三点为第五向量，以所述原点指向所述第三点为第六向量，其中，所述第六向量的模为所述预设距离阈值；根据所述第二向量
、
第五向量和第六向量构成的余弦定理公式
、
以及所述第二向量与所述第四向量的点积公式，计算所述第五向量的模与所述第四向量的模的比值；当所述比值无解时，确定所述待选边无所述分割点；当所述比值具有一个解时，确定所述第三点为所述分割点；当所述比值具有多个解时，确定最靠近所述第一点的第三点为所述分割点
。7.
如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述以所述参考边为基准，在所述待选边上寻找与所述参考边端点的距离等于所述预设距离阈值的点之前，所述方法还包括：获得所述待选边在所述参考边上的投影长度；比较所述投影长度和预设长度阈值，当所述投影长度小于或等于预设长度阈值时，将所述待选边作为第一待选边，当所述投影长度大于预设长度阈值时，将所述待选边作为第二待选边；所述对所述待处理边进行修正处理，以实现对所述设计图形的图形修正，包括：在所述待选边为第一待选边的情况下，对所述待处理边进行第一修正处理，以实现对所述设计图形的图形修正；在所述待选边为第二待选边的情况下，对所述待处理边进行第二修正处理，以实现对所述设计图形的图形修正
。8.
如权利要求7所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述获得所述待选边在所述参考边上的投影长度之前，所述方法还包括：以所述参考边任一端点为原点，以所述原点指向所述参考边另一端点为第一向量，以所述待选边与所述原点同侧的端点为第一点，以所述原点指向所述第一点为第二向量，以所述待选边的另一端点为第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗连波，严中稳，林海笑，程仁强，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：