中芯国际集成电路制造上海有限公司专利技术

中芯国际集成电路制造上海有限公司共有10564项专利

  • 一种半导体结构及其形成方法,其中方法包括:提供基底,所述基底上具有栅极结构;在所述栅极结构两侧的基底内形成轻掺杂区,所述轻掺杂区内具有轻掺杂离子;在所述栅极结构两侧的基底内形成空隙丰富区,所述空隙丰富区内具有空隙,所述空隙丰富区与部分所...
  • 一种半导体结构及其形成方法,方法包括:提供基底,基底上具有栅极结构,栅极结构两侧基底内具有源漏掺杂区,栅极结构露出的基底上具有层间介质层且层间介质层覆盖栅极结构顶部;在栅极结构两侧的层间介质层内形成露出源漏掺杂区的第一接触开口;形成贯穿...
  • 一种半导体结构及其形成方法,方法包括:提供基底,包括用于形成核心器件的核心区和用于形成周边器件的周边区;在基底上形成伪栅结构,包括栅氧化层以及位于栅氧化层上的伪栅电极层;在伪栅结构露出的基底上形成层间介质层,层间介质层露出伪栅结构顶部;...
  • 一种半导体结构及其形成方法,方法包括:提供基底,包括衬底以及位于衬底上分立的鳍部;在鳍部露出的衬底上形成隔离结构,隔离结构覆盖鳍部的部分侧壁;形成横跨鳍部且覆盖鳍部部分顶部表面和侧壁表面的栅极结构;刻蚀栅极结构两侧部分厚度的鳍部,在鳍部...
  • 一种半导体器件及其形成方法,其中方法包括:提供基底和位于基底上的介质层,所述基底内具有底层金属层;在所述介质层中形成贯穿介质层的互联层开口,所述互联层开口暴露出底层金属层,所述互联层开口包括接触孔和位于接触孔上的沟槽;在所述接触孔中形成...
  • 本发明提供了一种空气隙的形成方法、NAND闪存及其形成方法,所述空气隙的形成方法在若干间隔的栅极结构之间填充牺牲层,然后在栅极结构与牺牲层的顶部形成薄膜层,通过去除所述牺牲层两侧的衬底上的所述薄膜层形成通道,然后通过所述通道去除所述牺牲...
  • 本发明提供一种半导体器件及其制造方法,在金属栅极叠层结构的金属栅电极层侧壁形成气隙,进而降低了金属栅电极和后续形成的源漏区导电结构之间的寄生电容,提高了器件性能。
  • 本发明提供了一种缺陷检测机台检测精度的校验方法及产品晶圆,通过获取产品晶圆中的虚拟结构,根据获取的虚拟结构的数据得出缺陷检测机台的检测精度,即无需使用标准片,由此能够降低对缺陷检测机台检测精度进行校验的校验成本。进一步的,由于采用的是制...
  • 一种半导体器件及其形成方法,其中方法包括:提供基底,所述基底上具有栅极结构;在栅极结构两侧的基底中分别形成源漏掺杂区,所述源漏掺杂区中具有源漏离子,所述源漏掺杂区的顶部表面呈凹陷状;对所述源漏掺杂区的顶部表面掺杂接触离子,在源漏掺杂区中...
  • 一种电子系统及其上、下电状态检测电路,所述电子系统包括主电路和IO接口电路,所述上、下电状态检测电路包括:第一电平转换电路,其第一输入端接入所述主电路的电源电压,其第二输入端接入所述IO接口电路的电源电压,所述第一电平转换电路适于对所述...
  • 本发明提供一种鳍式场效应管及其形成方法,所述形成方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上具有多个分立的鳍部;在所述鳍部露出的半导体衬底上形成第一隔离层,所述第一隔离层覆盖所述鳍部的部分侧壁,且所述第一隔离层顶部低于所述鳍部顶部;在所述...
  • 本发明公开了一种磁性随机存储器及其存储单元的制造方法,涉及半导体技术领域。该磁性随机存储器包括:存储单元,包括:第一固定层、第二固定层和自由层;自由层位于第一固定层和第二固定层之间;多个存储单元的第一固定层为共用的第一固定层,多个存储单...
  • 一种封装结构及其形成方法,封装结构包括:包括芯片区域以及环绕芯片区域的外围区域的晶圆;位于芯片区域以及外围区域的晶圆上的第一钝化层;位于芯片区域的第一钝化层上的若干分立的铝电极层;位于第一钝化层上的第二钝化层,第二钝化层覆盖铝电极层的顶...
  • 一种半导体结构及其形成方法,其中方法包括:提供基底,基底包括第一区和第二区,基底的第一区内具有第一掺杂区,基底的第二区内具有第二掺杂区,基底、第一掺杂区和第二掺杂区上具有介质层;在介质层上形成掩膜层,掩膜层具有若干掩膜开口,第一区的掩膜...
  • 一种半导体器件及其形成方法,其中方法包括:提供基底,所述基底包括第一区和第二区,第一区用于形成第一类型的晶体管,第二区用于形成第二类型的晶体管,第二类型和第一类型相反;在所述基底上形成层间介质层,第一区层间介质层中具有贯穿层间介质层的第...
  • 本发明提供一种半导体结构及其形成方法,所述形成方法包括:提供基底,所述基底上形成有栅极结构,所述栅极结构两侧的基底中形成有源漏掺杂区,所述栅极结构露出的基底上形成有第一介质层;在所述第一介质层顶部以及所述栅极结构顶部上形成第二介质层;形...
  • 一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:形成贯穿介质层且露出源漏掺杂区表面的第一通孔;形成贯穿介质层且露出栅极结构顶部的第二通孔;在第一通孔底部和侧壁、以及第二通孔底部和侧壁沉积盖帽层;对第一通孔底部以及第二通孔底部进行第一清洗处理,...
  • 一种熔丝结构电路及其形成方法,其中方法包括:提供基底,所述基底包括熔丝区和控制区;在所述基底熔丝区和控制区上分别形成金属层,控制区金属层用于和熔丝区金属层电学连接;在所述熔丝区金属层的顶部表面形成第一覆盖层,第一覆盖层的材料和熔丝区金属...
  • 一种半导体结构及其形成方法,其中方法包括:提供基底,所述基底上具有介质层,所述介质层内具有开口;在所述开口的侧壁和底部表面上形成第一阻挡层,所述第一阻挡层中掺杂锰;在所述第一阻挡层上形成金属互连线,所述金属互连线位于所述开口内。所述方法...
  • 本发明公开了一种半导体结构及其制作方法,所述制作方法包括:在一基底上形成一含氮化合物层;对含氮化合物层进行一热处理工艺;形成一光阻图案层,光阻图案层至少露出部分含氮化合物层。本发明通过在形成一光阻图案层之前,对含氮化合物层进行一热处理工...