中芯国际集成电路制造上海有限公司专利技术

中芯国际集成电路制造上海有限公司共有10693项专利

  • 本发明提供了一种半导体器件及其制备方法和电子装置。所述方法包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底上形成鳍片,其中所述鳍片的底部关键尺寸大于所述鳍片的顶部关键尺寸,所述鳍片的底部和所述鳍片的顶部呈台阶形结构。其中所述半导体器件中的鳍片顶部...
  • 本发明提供了一种半导体器件及其制备方法和电子装置。所述半导体器件包括:半导体衬底,在所述半导体衬底上相邻设置有第一鳍片和第二鳍片;第一抬升源漏,横跨所述第一鳍片;第二抬升源漏,横跨所述第二鳍片;隔离结构,设置于所述第一抬升源漏和所述第二...
  • 本发明提供一种半导体结构及其形成方法,其中,方法包括:衬底;位于所述衬底中的第一阱区、第二阱区、第三阱区和位于所述第三阱区和第一阱区之间的第四阱区,所述第三阱区与第二阱区的掺杂离子的导电类型相同,所述第四阱区与所述第三阱区的掺杂离子导电...
  • 本发明提供一种半导体器件的制造方法,所述方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包括核心区和输入输出区,在所述核心区的所述半导体衬底上设置有第一鳍片,在所述输入输出区的所述半导体衬底上设置有第二鳍片;在所述第一鳍片和所述第二鳍片露出的表...
  • 一种鳍式场效应管及其形成方法,其中鳍式场效应管的形成方法包括:提供基底;形成覆盖基底的锗锡硅层、以及覆盖锗锡硅层的半导体层,基底、锗锡硅层以及半导体层包括第一区域、第二区域和第三区域;刻蚀第二区域的半导体层以及部分厚度的锗锡硅层,形成若...
  • 本发明提供一种半导体器件的制造方法及半导体器件,所述方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上形成有栅极堆叠结构;对所述半导体衬底中临近所述栅极堆叠结构的区域进行离子注入并实施第一退火工艺,以形成轻掺杂漏离子注入区;在所述栅极堆叠结构和...
  • 一种半导体结构及其形成方法,其中方法包括:提供基底,所述基底上具有栅极结构,所述栅极结构具有第一侧以及与第一侧相对的第二侧;在所述栅极结构第一侧的基底内形成第一开口,所述第一开口的底部暴露出基底;在所述第一开口侧壁的基底内形成第一阻挡区...
  • 一种半导体结构及其形成方法,方法包括:提供衬底,所述衬底包括相邻的器件区和隔离区,所述衬底上形成有分立的鳍部,其中,相邻所述鳍部的间距相等;在鳍部侧壁上形成氧化硅层;刻蚀去除所述隔离区的部分厚度鳍部和所述鳍部侧壁上的部分氧化硅层;以剩余...
  • 一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底;在所述基底上形成多晶硅层;采用有机酸溶液,对所述多晶硅层进行第一清洗处理。本发明采用有机酸溶液对多晶硅层进行第一清洗处理,使所述多晶硅层表面由疏水性变为亲水性,从而提高对所述多晶硅层的...
  • 本发明提供一种半导体器件的制作方法,包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成层间介电层和位于所述层间介电层中的铜互连结构;采用含硼化合物和含氮及硅的化合物的混合气体处理所述铜互连结构的顶面,以形成金属覆盖层;在所述层间介电层和所述金...
  • 本发明公开了一种半导体存储器件的制作方法,通过在介电层上形成第一图案,所述第一图案与第一通孔在所述基底厚度方向上的投影重合;在第二介质层上形成第二图案,第二图案暴露出外围电路区上的部分第二介质层,所述第二图案与第二通孔在所述基底厚度方向...
  • 本发明提供了一种栅介质层的形成方法,在形成第一氧化层后,在包含氧气的气氛下执行退火处理,在形成第二氧化层后,又在包含氧气的气氛下执行退火处理,从而通过两次在包含氧气的气氛下执行退火处理以对半导体衬底和第一氧化层之间的界面进行了很好的修复...
  • 一种静态随机存取存储电路及存储器,所述静态随机存取存储电路包括:存储单元,适于存储对应的数据信息;写入单元,适于在所述存储单元处于写入选中状态时,将相应的数据信息写入所述存储单元;在所述存储单元处于写入半选中状态时,禁止向所述存储单元中...
  • 一种ESD通路探测方法及系统,所述方法包括:当待测试芯片泄放ESD电流时,对所述待测试芯片因泄放ESD电流产生的光子进行探测;基于探测得到的光子的位置信息,获得ESD通路影像;基于所述ESD通路影像,确定所述待测试芯片中对应的ESD通路...
  • 本发明提供一种半导体结构及其形成方法,其中,形成方法包括:提供衬底,在所述衬底上形成第一隔离层;在所述第一隔离层内形成第一开口;在所述第一开口的侧壁形成第二隔离层;对所述第一隔离层的侧壁进行刻蚀,形成第二开口;在所述第一开口和所述第二开...
  • 一种半导体器件及其形成方法,其中方法包括:提供基底,所述基底包括第一区,第一区用于形成N型晶体管,所述基底的第一区上具有第一栅极结构,第一栅极结构两侧的基底中分别具有第一源漏掺杂区;在第一源漏掺杂区上形成电子隧穿层;在电子隧穿层表面形成...
  • 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法,涉及半导体技术领域。该半导体装置包括:衬底;在该衬底上的第一有源区;在该第一有源区上的第一栅极结构;以及在该第一有源区中且分别在该第一栅极结构两侧的第一源极和第一漏极;其中,该第一漏极的尺寸大于该...
  • 本申请公开了一种半导体装置及其制造方法,涉及半导体技术领域。其中,所述方法包括:在衬底上形成叠层结构,所述叠层结构包括一个或堆叠的多个半导体结构,形成所述半导体结构包括:形成第一半导体层;和在所述第一半导体层上形成第二半导体层;其中,在...
  • 一种单相时钟分频器电路和锁相环电路,所述单相时钟分频器电路包括:第一触发器和第二触发器和分频控制单元;第一触发器和第二触发器互为前级输出单元;所述第二触发器的输出时钟信号作为所述单相时钟分频器电路的输出端;所述分频控制单元,包括第七NM...
  • 本申请公开了一种直流‑直流转换电路系统及其形成方法,涉及电路设计领域。该系统包括主开关电路、充放电电路和次开关电路;主开关电路的供压端被施加第一直流电压,主开关电路的输出端与充放电电路的输入端连接,充放电电路的第一输出端输出第二直流电压...