中芯国际集成电路制造上海有限公司专利技术

中芯国际集成电路制造上海有限公司共有10858项专利

  • 本申请公开了一种图像传感器的制造方法,涉及半导体技术领域。所述方法包括:提供衬底结构,所述衬底结构包括:衬底,具有第一面;在所述衬底中的多个像素和在每个像素周围的隔离结构;以及在所述衬底的第一面上的抗反射涂层;在所述衬底结构上形成具有开...
  • 本申请公开了一种闪存器件及其制造方法,涉及存储器技术领域。其中,所述闪存器件包括:基底,包括在第一方向上交替排列且在第二方向上延伸的多个有源区和多个第一隔离区,所述第一方向不同于所述第二方向;在所述基底上的多个栅极结构,在所述第二方向上...
  • 一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,包括单元存储器区和内容可寻址存储器区;在基底上形成栅极结构,包括隧穿氧化层以及位于隧穿氧化层上的浮置栅层;在单元存储器区栅极结构两侧的基底内形成第一源漏掺杂区;在内容可寻址存储器区栅极...
  • 一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供衬底,衬底上具有鳍部材料层;在鳍部材料层上形成隔离材料层,隔离材料层材料的禁带宽度大于鳍部材料层的禁带宽度;在隔离材料层上形成沟道材料叠层,沟道材料叠层包括位牺牲材料层和位于牺牲材料层上的沟...
  • 本发明公开了一种静电放电晶体管阵列装置,涉及半导体技术领域。该静电放电晶体管阵列装置包括:半导体衬底,该半导体衬底包括:半导体层、在该半导体层上的掺杂区域和衬底接触区,其中该掺杂区域与该衬底接触区隔离开,该衬底接触区至少包括分别在该掺杂...
  • 一种半导体结构及其形成方法,在所述栅极结构两侧的鳍部中形成应力层之后,在所述栅极结构的侧壁上形成阻挡层,然后再对所述应力层下方的鳍部进行第一离子注入形成掺杂区。所述离子注入的深度较深,因此需要较高的离子注入能量。由于所述阻挡层阻挡了靠近...
  • 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。方法包括:提供半导体结构,其包括:衬底、在衬底上的鳍片和在鳍片上的伪栅极结构,伪栅极结构包括:在鳍片上的伪栅极绝缘物层和在伪栅极绝缘物层上的伪栅极;在半导体结构上沉积盖层,盖层包括在伪栅极结构侧面...
  • 一种半导体结构及其形成方法,方法包括:提供衬底和鳍部,衬底包括相邻的第一区域和第二区域;形成横跨鳍部且覆盖鳍部部分侧壁和顶部的栅极层;在第一区域栅极层两侧鳍部内形成第一掺杂外延层;在衬底上形成覆盖第一掺杂外延层的第一介质层;去除第二区域...
  • 一种半导体结构及其形成方法,方法包括:提供衬底和鳍部,衬底包括PMOS区和NMOS区;形成横跨鳍部且覆盖鳍部部分顶部和侧壁的栅极层;在PMOS区栅极层两侧鳍部内形成P型掺杂外延层;在NMOS区鳍部顶部和侧壁上形成N区掩膜层,N区掩膜层还...
  • 一种半导体结构及其形成方法,其中方法包括:提供基底,基底上具有栅极层,栅极层内具有杂质离子,栅极层两侧的基底内具有源漏掺杂区,基底、源漏掺杂区和栅极层上具有介质层;去除源漏掺杂区上的部分介质层,直至暴露出源漏掺杂区,在介质层内形成源漏接...
  • 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。该方法包括:提供半导体结构,该半导体结构包括:半导体衬底;在半导体衬底上的多个半导体鳍片,该多个半导体鳍片包括:间隔开的第一半导体鳍片和第二半导体鳍片;在每个半导体鳍片周围的沟槽和填充沟槽的沟槽绝...
  • 一种半导体结构及其形成方法,包括:提供衬底;形成第一区域掩膜层;形成第二应力层;形成接触孔刻蚀停止层;形成第一接触孔和第二接触孔;沿所述第一接触孔进行减薄处理;减薄处理之后,去除所述第一接触孔底部的第一区域掩膜层和所述第二接触孔底部的接...
  • 本发明公开了一种半导体装置的制造方法,涉及半导体技术领域。该方法包括:提供衬底结构;在该衬底结构上沉积伪栅极材料层;对该伪栅极材料层执行平坦化处理;在该平坦化处理之后,根据伪栅极材料层的表面粗糙情况利用含氟的气体对该伪栅极材料层执行第一...
  • 本申请公开了一种具有物理不可克隆功能的器件及其制造方法、芯片,涉及半导体技术领域。该方法包括:提供衬底结构,其包括:衬底,包括加密器件区和基准器件区;在加密器件区上的一个或多个用于加密器件的第一栅极结构及其侧壁上的第一间隔物层;在加密器...
  • 本申请公开了一种半导体装置及其制造方法,涉及半导体技术领域。所述方法包括:提供衬底结构,包括:衬底、位于衬底上沿着第一方向延伸的一个或多个鳍片和位于鳍片周围的隔离区,隔离区的上表面低于鳍片的上表面,隔离区包括第一隔离区和第二隔离区,第一...
  • 一种半导体结构及其形成方法,方法包括:提供基底,包括衬底和位于衬底上的鳍部,基底上形成有层间介质层,层间介质层内形成有露出部分基底的栅极开口,栅极开口侧壁上形成有侧墙;对远离基底一侧的部分高度的侧墙侧壁进行减薄处理,未进行减薄处理的侧墙...
  • 一种半导体结构及其形成方法,其中方法包括:提供基底;在部分基底上形成若干相互分立的第一牺牲层;在所述第一牺牲层的侧壁上形成侧墙,相邻第一牺牲层和侧墙之间具有第一开口以及第二开口;在所述第一开口内形成第二牺牲层;形成所述第二牺牲层之后,去...
  • 一种半导体结构及其形成方法,其中方法包括:提供基底,所述基底上具有第一介质层,所述第一介质层内具有第一开口;在所述第一开口内形成第一互连部和位于第一互连部上的第三开口;在所述第三开口内形成第二互连部,所述第二互连部材料的还原性弱于第一互...
  • 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法,涉及半导体技术领域。该方法包括:提供半导体结构,其包括:半导体衬底、在半导体衬底上的半导体鳍片和在半导体鳍片上的栅极结构;对半导体鳍片执行第一刻蚀以在栅极结构两侧分别形成第一凹陷和第二凹陷;执行离...
  • 本发明提供一种半导体器件的制造方法及半导体器件,所述方法包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成栅极堆叠结构;执行第一LDD注入,以在栅极堆叠结构两侧的半导体衬底中形成第一LDD区;以栅极堆叠结构为掩膜,对第一LDD区进行刻蚀,至露...