半导体结构及掩膜版版图制造技术

一种半导体结构及掩模版版图，结构包括：多个沿第一方向延伸的金属线，金属线沿第一方向包括主线区、以及分别位于主线区两侧的隔断区，金属线包括一个或多个沿第二方向平行排列的金属环、以及位于金属环露出的区域内的第一金属线作为内金属线，位于金属环之间的第一金属线作为外金属线，外金属线同侧端部相接触，第一金属线与金属环相间隔以及金属环与外金属线相间隔，第一方向垂直于第二方向；第一隔断层，贯穿隔断区的金属环，并用于在第一方向上分割金属环；第二隔断层，贯穿隔断区的外金属线，并用于在第一方向上分割外金属线。本发明专利技术有利于保障半导体结构的工作性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及掩膜版版图。

技术介绍

1、光刻(photolithography)技术是常用的一种图形化方法，是半导体制造工艺中最为关键的生产技术。随着图形特征尺寸(critical dimension，cd)的不断缩小，自对准双重图形化(self-aligned double patterning，sadp)已无法满足现在的工艺需求，自对准四重图形化(self-aligned quadruple patterning，saqp)方法应运而生。

2、然而，传统的自对准四重图形化方法有一些局限性。

技术实现思路

1、本专利技术实施解决的问题是提供了一种半导体结构及掩膜版版图，有利于保障半导体结构的工作性能。

2、为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种半导体结构，包括：基底；位于基底上的多个沿第一方向延伸的金属线，所述金属线沿第一方向包括主线区、以及分别位于所述主线区两侧的隔断区，所述金属线包括一个或多个沿第二方向平行排列的金属环、以及位于所本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述金属环包括沿第二方向平行排列的第二金属线、以及连接所述第二金属线同一侧端部的连接部；

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二隔断层分别贯穿所述隔断区的每个所述外金属线，用于在第一方向上分割所述外金属线。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，被所述金属环环绕的第一金属线作为内金属线，所述第二隔断层还贯穿所述隔断区中的所述内金属线，用于在第一方向上分割所述内金属线。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在所述主线区同一侧...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述金属环包括沿第二方向平行排列的第二金属线、以及连接所述第二金属线同一侧端部的连接部；

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二隔断层分别贯穿所述隔断区的每个所述外金属线，用于在第一方向上分割所述外金属线。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，被所述金属环环绕的第一金属线作为内金属线，所述第二隔断层还贯穿所述隔断区中的所述内金属线，用于在第一方向上分割所述内金属线。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在所述主线区同一侧的隔断区中，相邻所述第一隔断层在所述第一方向上错开设置，相邻所述第二隔断层在所述第一方向上错开设置；

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，位于所述主线区两侧的隔断区中，第一隔断层和第二隔断层的布局排布相同或镜像排布。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述金属环包括沿第二方向平行排列的第二金属线、以及连接所述第二金属线同一侧端部的连接部，沿所述第二方向，交替排布的n个第一金属线和n个第二金属线构成一个金属线组，其中，n为正整数；贯穿所述金属线组的金属线的第一隔断层和第二隔断层构成隔断组，所述隔断组沿所述第二方向呈周期性重复排布。

8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，交替排布的三个第一金属线和三个第二金属线构成一个金属线组，每个金属线组中，相邻三个第一金属线包括依次排列设置的第一子金属线、以及相邻两个第二子金属线，所述第一子金属线的宽度大于所述第二子金属线的宽度；

9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，沿所述第一方向，所述隔断区的尺寸为0.5μm至5μm。

10.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括介电层；

11.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴轶超，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：