【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件朝着更高的元件密度，以及更高集成度的方向发展，半导体工艺节点遵循摩尔定律的发展趋势不断减小。晶体管作为最基本的半导体器件目前正被广泛应用，因此随着半导体器件的元件密度和集成度的提高，为了适应工艺节点的减小，不得不断缩短晶体管的沟道长度。
2、为了更好的适应器件尺寸按比值缩小的要求，半导体工艺逐渐开始从平面晶体管向具有更高功效的三维立体式的晶体管过渡，如全包围栅极(gate-all-around，gaa)晶体管。全包围栅极晶体管中，栅极从四周包围沟道所在的区域，与平面晶体管相比，全包围栅极晶体管的栅极对沟道的控制能力更强，能够更好的抑制短沟道效应。
3、但是，目前全包围栅极晶体管的性能仍有待提高。
技术实现思路
1、本专利技术实施例解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，提高半导体结构的工作性能。
2、为解决上述问题，本专利技...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极内侧墙与沟道结构层之间栅极氧化层的厚度小于或等于3nm。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极内侧墙的材料包括氮化硅和低k介质材料中的一种或多种。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构为金属栅极结构。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构包括栅介质层以及位于栅介质层上的栅电极层；
6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：层间介质层...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极内侧墙与沟道结构层之间栅极氧化层的厚度小于或等于3nm。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极内侧墙的材料包括氮化硅和低k介质材料中的一种或多种。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构为金属栅极结构。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构包括栅介质层以及位于栅介质层上的栅电极层；
6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：层间介质层，所述层间介质层位于所述栅极结构侧部的基底上，且所述层间介质层覆盖所述源漏掺杂区。
7.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述减薄处理的步骤中，去除所述伪栅结构两侧的部分厚度或全部厚度的栅极氧化层。
9.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述减薄处理的厚度去除量占所述栅极氧化层的初始厚度...
【专利技术属性】
技术研发人员：张静，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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