【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体加工，特别是涉及上电极组件、等离子体处理装置及处理方法。
技术介绍
1、电容耦合等离子体刻蚀设备是一种由施加在极板上的射频电源通过电容耦合的方式在反应腔内产生等离子体并用于刻蚀的设备。其包括真空反应腔，真空反应腔侧壁上设置一开口用于容纳基片进出。设置于反应腔内的上电极和下电极，上电极和下电极之间形成一反应区域。至少一射频电源通过匹配网络施加到上电极或下电极之一，在上电极和下电极之间产生射频电场，用以将反应区域的反应气体解离为等离子体，等离子体中含有大量的电子、离子、激发态的原子、分子和自由基等活性粒子，上述活性粒子可以和待处理基片的表面发生多种物理和化学反应，使得基片表面的形貌发生改变，即完成刻蚀过程。
2、传统地，由于电容耦合等离子体刻蚀工艺过程中会产生一些聚合物，会堆积在反应腔室内部零部件上，需要不定期通过特殊的工艺制成清除，通常在从反应腔室内取出完成处理的基片后，向反应腔室引入清洗用的蚀刻气体并将其解离生成清洗用的等离子体，用来对反应腔室及反应腔室内部的各部件进行等离子体清洗，以去除附着的聚合物。虽然传统技术中已经有对反应腔室及腔室内部各部件进行了反复地等离子体清洗，然而制程过程中，仍然会存在残余的聚合物会掉落于基片上，形成颗粒对后续的基片处理造成潜在污染风险。
技术实现思路
1、基于此，有必要克服现有技术的缺陷，提供一种上电极组件、等离子体处理装置及处理方法，它能够大大降低残余颗粒物导致的污染风险。
2、其技术方案如下：一种上电极组件
3、基座；
4、上电极，所述上电极包括第一电极与第二电极，所述第一电极为环形状的电极板，所述第一电极连接于所述基座上，所述第二电极对应设于所述第一电极的开口区，所述第二电极上设置有多个通气孔；
5、气体分配件，所述气体分配件位于所述第二电极的上方，所述气体分配件与所述基座相连；以及
6、升降机构，所述升降机构与所述基座相连，所述升降机构还与所述第二电极相连，所述升降机构用于驱动所述第二电极升降运动。
7、在其中一个实施例中，所述上电极组件还包括设置于所述升降机构与所述第二电极之间的传动件；所述升降机构与所述传动件相连，所述传动件与所述第二电极上的插头相连。
8、在其中一个实施例中，所述升降机构设有多个，多个所述升降机构间隔地设置于所述基座上，并分别与所述传动件相连。
9、在其中一个实施例中，多个所述升降机构包括多个第一升降机构与多个第二升降机构；多个所述第一升降机构绕所述第二电极的中心轴线间隔地分布于所述基座的中部区域，多个所述第二升降机构绕所述第二电极的中心轴线间隔地分布于所述基座的外围区域。
10、在其中一个实施例中，所述传动件包括内环、设置于所述内环外部的外环、以及分别连接所述内环与所述外环的连接件；多个所述第一升降机构的驱动端分别与所述内环相连，多个所述第二升降机构的驱动端分别与所述外环相连。
11、在其中一个实施例中，所述内环的环宽为10mm-30mm，所述内环的内径为40mm-60mm；所述外环的环宽为10mm-30mm，所述外环的内径为290mm-310mm；所述连接件为宽度处于5mm-9mm的条形体，所述条形体的两端分别连接所述内环与所述外环。
12、在其中一个实施例中，所述升降机构包括设置于所述基座上的步进电机、以及与所述步进电机的动力轴相连的丝杆组件，所述丝杆组件与所述传动件相连。
13、在其中一个实施例中，所述上电极组件还包括与所述传动件相连的多个抓紧件；所述抓紧件的两端分别与所述内环、所述外环相连；所述抓紧件设有能够抓紧与松开所述插头的抓持部。
14、在其中一个实施例中，所述传动件的材质包括设置有氧化钇涂层的铝合金。
15、在其中一个实施例中，所述第二电极的材质包括碳化硅。
16、在其中一个实施例中，所述上电极组件还包括第一加热板与第二加热板；所述第一加热板与所述基座相连，并通过所述基座将热量传递给所述第一电极；所述第二加热板与所述气体分配件相连，并通过所述气体分配件将热量传递给所述第二电极。
17、在其中一个实施例中，所述气体分配件上分布有气孔，所述气孔从所述气体分配件的中心至外围的方向上，依次排布成至少两层；每层包括绕所述气体分配件的中心依次间隔设置的至少两个气孔。
18、在其中一个实施例中，所述基座包括基板以及环绕地设于所述基板上的凸台；所述凸台与所述基板围合形成有安装空间；所述第一电极连接于所述凸台上；所述气体分配件与所述第二电极设于所述安装空间处。
19、在其中一个实施例中，所述上电极组件还包括检测器与控制器，所述检测器用于检测所述第二电极背面是否有颗粒物，所述控制器分别与所述检测器、所述升降机构电性连接。
20、一种等离子体处理装置，所述等离子体处理装置包括所述的上电极组件，还包括反应腔室，以及与所述上电极相对间隔设置的下电极，所述上电极组件与所述下电极设置于所述反应腔室内。
21、在其中一个实施例中，所述等离子体处理装置还包括抽吸机构；所述抽吸机构与所述反应腔室连通，用于将所述反应腔室内部的反应副产物向外抽出。
22、一种等离子体处理装置的处理方法，所述处理方法包括如下步骤：
23、通过升降机构驱动第二电极进行升降运动以降低所述第二电极的高度位置，使得所述第二电极的背面进入到反应腔室的反应区域；
24、通过所述反应区域的等离子体对所述第二电极的背面进行等离子体清洗处理，以去除所述第二电极背面上附着的聚合物；
25、通过升降机构驱动所述第二电极进行升降运动以升起所述第二电极，使所述第二电极复位。
26、在其中一个实施例中，所述去除所述第二电极背面上附着的聚合物步骤之后还包括步骤：将所述反应区域的反应副产物抽走。
27、在其中一个实施例中，所述通过升降机构驱动第二电极进行升降运动以降低所述第二电极的高度位置的步骤中，将所述第二电极降低的高度为18mm-22mm。
28、在其中一个实施例中，在所述通过升降机构驱动第二电极进行升降运动以降低所述第二电极的高度位置的步骤之前还包括步骤：将所述反应腔室内部的基片取出。
29、在其中一个实施例中，所述处理方法还包括步骤：检测所述第二电极的背面是否有颗粒物；当感应到所述第二电极背面有颗粒物时，进入到所述通过升降机构驱动第二电极进行升降运动以降低所述第二电极的高度位置的步骤中。
30、上述的上电极组件、等离子体处理装置及处理方法，可以定期或不定期地对第二电极背面进行清扫处理，在进行清扫处理时，升降机构驱动第二电极进行升降运动以降低第二电极的高度位置，这样第二电极的背面便进入到反应腔室的反应区域，便能借助反应区域的等离子体对第二电极的背面进行等离子体清洗处理，以去除第二电极背面上附着的聚合物，从而能够大大降低第二本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种上电极组件，其特征在于，所述上电极组件包括：
2.根据权利要求1所述的上电极组件，其特征在于，所述上电极组件还包括设置于所述升降机构与所述第二电极之间的传动件；所述升降机构与所述传动件相连，所述传动件与所述第二电极上的插头相连。
3.根据权利要求2所述的上电极组件，其特征在于，所述升降机构设有多个，多个所述升降机构间隔地设置于所述基座上，并分别与所述传动件相连。
4.根据权利要求3所述的上电极组件，其特征在于，多个所述升降机构包括多个第一升降机构与多个第二升降机构；多个所述第一升降机构绕所述第二电极的中心轴线间隔地分布于所述基座的中部区域，多个所述第二升降机构绕所述第二电极的中心轴线间隔地分布于所述基座的外围区域。
5.根据权利要求4所述的上电极组件，其特征在于，所述传动件包括内环、设置于所述内环外部的外环、以及分别连接所述内环与所述外环的连接件；多个所述第一升降机构的驱动端分别与所述内环相连，多个所述第二升降机构的驱动端分别与所述外环相连。
6.根据权利要求5所述的上电极组件，其特征在于，所述内环的环宽为10m
7.根据权利要求5所述的上电极组件，其特征在于，所述升降机构包括设置于所述基座上的步进电机、以及与所述步进电机的动力轴相连的丝杆组件，所述丝杆组件与所述传动件相连。
8.根据权利要求5所述的上电极组件，其特征在于，所述上电极组件还包括与所述传动件相连的多个抓紧件；所述抓紧件的两端分别与所述内环、所述外环相连；所述抓紧件设有能够抓紧与松开所述插头的抓持部。
9.根据权利要求5所述的上电极组件，其特征在于，所述传动件的材质包括设置有氧化钇涂层的铝合金；和/或
10.根据权利要求1所述的上电极组件，其特征在于，所述上电极组件还包括第一加热板与第二加热板；所述第一加热板与所述基座相连，并通过所述基座将热量传递给所述第一电极；所述第二加热板与所述气体分配件相连，并通过所述气体分配件将热量传递给所述第二电极。
11.根据权利要求10所述的上电极组件，其特征在于，所述气体分配件上分布有气孔，所述气孔从所述气体分配件的中心至外围的方向上，依次排布成至少两层；每层包括绕所述气体分配件的中心依次间隔设置的至少两个气孔。
12.根据权利要求1所述的上电极组件，其特征在于，所述基座包括基板以及环绕地设于所述基板上的凸台；所述凸台与所述基板围合形成有安装空间；所述第一电极连接于所述凸台上；所述气体分配件与所述第二电极设于所述安装空间处。
13.根据权利要求1所述的上电极组件，其特征在于，所述上电极组件还包括检测器与控制器，所述检测器用于检测所述第二电极背面是否有颗粒物，所述控制器分别与所述检测器、所述升降机构电性连接。
14.一种等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置包括如权利要求1至13任意一项所述的上电极组件，还包括反应腔室，以及与所述上电极相对间隔设置的下电极，所述上电极组件与所述下电极设置于所述反应腔室内。
15.根据权利要求14所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置还包括抽吸机构；所述抽吸机构与所述反应腔室连通，用于将所述反应腔室内部的反应副产物向外抽出。
16.一种如权利要求14或15所述的等离子体处理装置的处理方法，其特征在于，所述处理方法包括如下步骤：
17.根据权利要求16所述的处理方法，其特征在于，所述去除所述第二电极背面上附着的聚合物步骤之后还包括步骤：将所述反应区域的反应副产物抽走。
18.根据权利要求16所述的处理方法，其特征在于，所述通过升降机构驱动第二电极进行升降运动以降低所述第二电极的高度位置的步骤中，将所述第二电极降低的高度为18mm-22mm。
19.根据权利要求16所述的处理方法，其特征在于，在所述通过升降机构驱动第二电极进行升降运动以降低所述第二电极的高度位置的步骤之前还包括步骤：将所述反应腔室内部的基片取出。
20.根据权利要求16所述的处理方法，其特征在于，所述处理方法还包括步骤：检测所述第二电极的背面是否有颗粒物；当感应到所述第二电极背面有颗粒物时，进入到所述通过升降机构驱动第二电极进行升降运动以降低所述第二电极的高度位置的步骤中。
...【技术特征摘要】
1.一种上电极组件，其特征在于，所述上电极组件包括：
2.根据权利要求1所述的上电极组件，其特征在于，所述上电极组件还包括设置于所述升降机构与所述第二电极之间的传动件；所述升降机构与所述传动件相连，所述传动件与所述第二电极上的插头相连。
3.根据权利要求2所述的上电极组件，其特征在于，所述升降机构设有多个，多个所述升降机构间隔地设置于所述基座上，并分别与所述传动件相连。
4.根据权利要求3所述的上电极组件，其特征在于，多个所述升降机构包括多个第一升降机构与多个第二升降机构；多个所述第一升降机构绕所述第二电极的中心轴线间隔地分布于所述基座的中部区域，多个所述第二升降机构绕所述第二电极的中心轴线间隔地分布于所述基座的外围区域。
5.根据权利要求4所述的上电极组件，其特征在于，所述传动件包括内环、设置于所述内环外部的外环、以及分别连接所述内环与所述外环的连接件；多个所述第一升降机构的驱动端分别与所述内环相连，多个所述第二升降机构的驱动端分别与所述外环相连。
6.根据权利要求5所述的上电极组件，其特征在于，所述内环的环宽为10mm-30mm，所述内环的内径为40mm-60mm；所述外环的环宽为10mm-30mm，所述外环的内径为290mm-310mm；所述连接件为宽度处于5mm-9mm的条形体，所述条形体的两端分别连接所述内环与所述外环。
7.根据权利要求5所述的上电极组件，其特征在于，所述升降机构包括设置于所述基座上的步进电机、以及与所述步进电机的动力轴相连的丝杆组件，所述丝杆组件与所述传动件相连。
8.根据权利要求5所述的上电极组件，其特征在于，所述上电极组件还包括与所述传动件相连的多个抓紧件；所述抓紧件的两端分别与所述内环、所述外环相连；所述抓紧件设有能够抓紧与松开所述插头的抓持部。
9.根据权利要求5所述的上电极组件，其特征在于，所述传动件的材质包括设置有氧化钇涂层的铝合金；和/或
10.根据权利要求1所述的上电极组件，其特征在于，所述上电极组件还包括第一加热板与第二加热板；所述第一加热板与所述基座相连，并通过所述基座将热量传递给所述第一电极；所述第二加热板与所述气体分配件相连，并通过所述气体分配件将热量传递给所...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄武林，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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