【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体器件，尤其是涉及一种光电探测器。
技术介绍
1、光电探测器是一种能够将光信号转换为电信号的器件，光电探测器的原理是由辐射引起被照射材料电导率发生改变。光电探测器可以应用于各领域，比如说，在可见光或近红外波段，光电探测器用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等，在红外波段，光电探测器用于红外热成像、红外遥感等。
2、在光电探测器的制造工艺中，为了降低有源区的串联电阻和接触电阻，通常会在光电探测器上制作一层金属硅化物(silicide)，金属硅化物的导电性介于金属和硅之间。但是，对于光电探测器来说，由于金属硅化物的透光性比较差，因此，这层金属硅化物会阻挡一部分光进入光敏区被吸收探测，从而使得光电探测器的探测效率大幅度降低，无法保证光电探测器的探测效率。
技术实现思路
1、本申请提供一种光电探测器，所述光电探测器包括金属硅化物层，所述金属硅化物层包括金属硅化物区域和多个第一金属硅化物阻挡区域，所述金属硅化物区域用于放置金属硅化物，所述第一金属硅化物阻挡区域用于放置...
【技术保护点】
1.一种光电探测器，其特征在于，所述光电探测器包括金属硅化物层，所述金属硅化物层包括金属硅化物区域和多个第一金属硅化物阻挡区域，所述金属硅化物区域用于放置金属硅化物，所述第一金属硅化物阻挡区域用于放置目标物质，所述目标物质的透光性优于所述金属硅化物的透光性；其中：所述多个第一金属硅化物阻挡区域对称分布在所述金属硅化物区域的周围区域。
2.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述金属硅化物层包括十字型区域和所述十字型区域的四个周围区域，所述四个周围区域为所述十字型区域的左上侧区域、右上侧区域、左下侧区域和右下侧区域；针对每个周围区域，所述周围区域包括...
【技术特征摘要】
1.一种光电探测器，其特征在于，所述光电探测器包括金属硅化物层，所述金属硅化物层包括金属硅化物区域和多个第一金属硅化物阻挡区域，所述金属硅化物区域用于放置金属硅化物，所述第一金属硅化物阻挡区域用于放置目标物质，所述目标物质的透光性优于所述金属硅化物的透光性；其中：所述多个第一金属硅化物阻挡区域对称分布在所述金属硅化物区域的周围区域。
2.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述金属硅化物层包括十字型区域和所述十字型区域的四个周围区域，所述四个周围区域为所述十字型区域的左上侧区域、右上侧区域、左下侧区域和右下侧区域；针对每个周围区域，所述周围区域包括k个子区域，k为正整数；其中：
3.根据权利要求2所述的光电探测器，其特征在于，若k大于1，针对每个周围区域，所述周围区域的k个子区域对称分布在所述周围区域，且所述周围区域的...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭彧，徐凯敏，苏星，沈林杰，
申请(专利权)人：杭州海康威视数字技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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