【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及半导体，尤其涉及一种掩膜版清洗方法。
技术介绍
1、随着半导体技术的不断发展，对半导体制造的工艺技术的要求越来越高。在半导体制造工艺中，掩膜版随着工艺节点的提升成本越来越高，制作难度越来越大。提高掩膜版的成品良率就变成一个越发重要的课题。。
2、在制作过程中掩膜版上的污染物颗粒成为影响成品率的重要原因，因此，掩膜版的清洗工艺至关重要。目前，常规的掩模版的清洗工艺主要使用化学药剂处理搭配超声波震荡的方式进行清洗。这种方式虽然可以把大部分的污染物颗粒去除，但是部分污染物通过正常清洗无法完全去除的情况也经常发生。这样存有污染物的掩膜版是不能够正常使用的，从而影响良率，而如果加强化学药剂处理或超声波能量来提高清洗能力，则会加大对掩模版本身材质和图形的破坏，也会提高产品报废的风险。
3、因此，如何在保证掩膜版质量的前提下，提高掩膜版的清洗效果，就成为亟需解决的技术问题。
技术实现思路
1、本申请实施例解决的技术问题是如何在保证掩膜版质量的前提下，提高掩膜版的清
【技术保护点】
1.一种掩膜版清洗方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的掩膜版清洗方法，其特征在于，所述清洗制程的清洗试剂包括清洗顺序相邻的高温清洗试剂和低温清洗试剂，二者的清洗温度的温度差满足所述温度差阈值，所述根据所述清洗制程清洗所述掩膜版，直至完成所述清洗制程，完成所述掩膜版的清洗的步骤包括：利用所述高温清洗试剂，清洗所述掩膜版；
3.如权利要求1所述的掩膜版清洗方法，其特征在于，所述清洗制程的清洗试剂包括清洗顺序相邻的低温清洗试剂和高温清洗试剂，二者的清洗温度的温度差满足所述温度差阈值，所述根据所述清洗制程清洗所述掩膜版，直至完成所述清洗制程...
【技术特征摘要】
1.一种掩膜版清洗方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的掩膜版清洗方法，其特征在于，所述清洗制程的清洗试剂包括清洗顺序相邻的高温清洗试剂和低温清洗试剂，二者的清洗温度的温度差满足所述温度差阈值，所述根据所述清洗制程清洗所述掩膜版，直至完成所述清洗制程，完成所述掩膜版的清洗的步骤包括：利用所述高温清洗试剂，清洗所述掩膜版；
3.如权利要求1所述的掩膜版清洗方法，其特征在于，所述清洗制程的清洗试剂包括清洗顺序相邻的低温清洗试剂和高温清洗试剂，二者的清洗温度的温度差满足所述温度差阈值，所述根据所述清洗制程清洗所述掩膜版，直至完成所述清洗制程，完成所述掩膜版的清洗的步骤包括：利用所述低温清洗试剂，清洗所述掩膜版；
4.如权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：李德建，凌文君，秦学飞，黄达，卢聪，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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