【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。
技术介绍
1、在半导体制造中，随着超大规模集成电路的发展趋势，集成电路特征尺寸持续减小，为了适应更小的特征尺寸，半导体工艺逐渐开始从平面mosfet向具有更高功效的三维立体式的晶体管过渡，如鳍式场效应晶体管(finfet)。finfet是一种新的互补式金氧半导体晶体管，其栅极结构可以从两侧对超薄体(鳍部)进行控制，因而具有更强的沟道控制能力。
2、在finfet器件中，先形成覆盖所述鳍部部分顶面和部分侧壁的伪栅结构，所述伪栅结构为后续制程中形成金属栅极结构占据空间，但此种方法形成的半导体结构的性能不佳。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供了一种半导体结构的形成方法，以优化半导体结构的性能。
2、为实现上述目的，本专利技术实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：
3、提供基底，所述基底包括衬底和凸立于所述衬底的分立的鳍部；
4、在分立的所述鳍部之间形成隔离材料层，所述...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述在所述隔离材料层和所述鳍部的顶面形成平坦化停止复合层的步骤中，所述平坦化停止复合层的厚度匹配所述伪栅结构的顶面与所述鳍部的顶面的距离。
3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述提供基底的步骤中，分立的所述鳍部延第一方向延伸，且分立的所述鳍部以第二方向排布，所述第一方向与第二方向相互垂直；其中，所述基底还包括位于所述鳍部顶面的硬掩膜层；
4.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述在所述...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述在所述隔离材料层和所述鳍部的顶面形成平坦化停止复合层的步骤中，所述平坦化停止复合层的厚度匹配所述伪栅结构的顶面与所述鳍部的顶面的距离。
3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述提供基底的步骤中，分立的所述鳍部延第一方向延伸，且分立的所述鳍部以第二方向排布，所述第一方向与第二方向相互垂直；其中，所述基底还包括位于所述鳍部顶面的硬掩膜层；
4.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述在所述隔离材料层和所述鳍部的顶面形成平坦化停止复合层，包括：
5.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成跨过所述鳍部的第一沟槽，所述第一沟槽暴露所述鳍部的顶面和部分侧壁，具体为：去除部分区域的平坦化停止复合层和所述部分区域内的部分厚度的隔离材料层，形成跨过所述鳍部的第一沟槽。
6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述去除部分区域的平坦化停止复合层和所述部分区域内的部分厚度的隔离材料层，形成跨过所述鳍部的第一沟槽，包括：
7.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述在所述第一沟槽...
【专利技术属性】
技术研发人员：王洪岩，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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