芯片、制备方法及电子设备技术

本申请公开了芯片、制备方法及电子设备，包括：衬底以及设置于衬底上的晶体管。晶体管包括：沟道结构、阻挡层、栅极、源极以及漏极。沟道结构包括沟道区和离子注入区，阻挡层设置于沟道结构背离衬底的一侧，栅极设置于阻挡层背离沟道结构的一侧，源极设置于沟道结构背离衬底的一侧，漏极设置于沟道结构背离衬底的一侧。源极设置于沟道区背离离子注入区的一侧，漏极覆盖离子注入区的至少部分区域。以及，栅极分别与沟道结构、源极以及漏极电性绝缘。本申请实施例中，源极的材料为狄拉克材料，具有更局域的电子密度分布和更短的热尾，即可降低器件的SS数值，提升器件的开态电流。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及到半导体，尤其涉及到芯片、制备方法及电子设备。

技术介绍

1、互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor，cmos)技术是当今集成电路(integrated circuit，ic)的主流技术。其中，金属-氧化物-半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，mosfet)是构建集成电路的基本元件。通过在mosfet的栅极上施加电压来控制mosfet的源漏电流，从而实现器件的开关状态转换。关断速度由亚阈值摆幅(subthreshold swing，ss)来描述。其中，亚阈值摆幅是指使源漏电流变化一个量级所需要施加的栅极电压增量。亚阈值摆幅越小，意味着mosfet的关断越快。在传统的fet中，由于电子的输运受到玻尔兹曼热尾的限制，器件的亚阈值摆幅在室温下通常不小于60mv/dec。为了突破这个限制，许多具有不同机制的场效应晶体管被提出，例如，隧穿场效应晶体管(tunnel fet)、负电容场效应晶体管等。但是，隧穿场效应本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种芯片，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的芯片，其特征在于，在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述阻挡层与所述源极交叠，且处于交叠区域中的所述阻挡层设置于所述源极与所述沟道结构之间；

3.如权利要求2所述的芯片，其特征在于，在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述阻挡层与所述漏极不交叠，并且所述阻挡层与所述漏极接触设置。

4.如权利要求3所述的芯片，其特征在于，在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述阻挡层还覆盖所述离子注入区的部分区域。

5.如权利要求1-4任一项所述的芯片，其特征在于，所述晶体管为下述晶体管中的至少一个：...

【技术特征摘要】

1.一种芯片，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的芯片，其特征在于，在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述阻挡层与所述源极交叠，且处于交叠区域中的所述阻挡层设置于所述源极与所述沟道结构之间；

3.如权利要求2所述的芯片，其特征在于，在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述阻挡层与所述漏极不交叠，并且所述阻挡层与所述漏极接触设置。

4.如权利要求3所述的芯片，其特征在于，在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述阻挡层还覆盖所述离子注入区的部分区域。

5.如权利要求1-4任一项所述的芯片，其特征在于，所述晶体管为下述晶体管中的至少一个：

6.如权利要求1-4任一项所述的芯片，其特征在于，所述晶体管为鳍式场效应晶体管，所述阻挡层覆盖处于所述阻挡层和所述沟道结构的交叠区域中的沟道结构的顶部和侧壁，或者，所述阻挡层覆盖处于所述阻挡层和所述沟道结构的交叠区域中的沟道结构的顶部。

7.如权利要求1-4任一项所述的芯片，其特征在于，所述晶体管为环绕栅极场效应晶体管，所述阻挡层环绕处于所述阻挡层和所述沟道结构的交叠区域中的沟道结构，或者，所述阻挡层覆盖处于所述阻挡层和所述沟道结构的交叠区域中的沟道结构的顶部。

8.如权利要求1-4任一项所述的芯片，其特征在于，所述晶体管还包括：第一绝缘层；其中，所述第一绝缘层位于所述栅极与所述源极之间；

9.如权利要求8所述的芯片，其特征在于，在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述第一绝缘层还覆盖所述阻挡层；

10.如权利要求8或9所述的芯片，其特征在于，所述晶体管还包括：控制电极，其中，所述控制电极被配置为在施...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆叶，袁保卫，万景，侯朝昭，王嘉乐，张强，董耀旗，许俊豪，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：