【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。
技术介绍
1、在半导体制造中，随着超大规模集成电路的发展趋势，集成电路特征尺寸持续减小，为了适应更小的特征尺寸，半导体工艺逐渐开始从平面mosfet向具有更高功效的三维立体式的晶体管过渡，如鳍式场效应晶体管(finfet)。finfet是一种新的互补式金氧半导体晶体管，其栅极结构可以从两侧对超薄体(鳍部)进行控制，因而具有更强的沟道控制能力。
2、在finfet器件中，先形成覆盖所述鳍部部分顶面和部分侧壁的伪栅结构，所述伪栅结构为后续制程中形成金属栅极结构占据空间，但此种方法形成的半导体结构的性能不佳。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供了一种半导体结构的形成方法，以优化半导体结构的性能。
2、为实现上述目的，本专利技术实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括衬底和凸立于所述衬底的分立的鳍部；在所述基底朝向所述鳍部一侧形成隔离材料层；去除部分区域内部分厚度的隔离材料层...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述在所述基底朝向所述鳍部一侧形成隔离材料层的步骤中，所述隔离材料层至少暴露所述鳍部的顶面区域，或者，所述隔离材料层完全覆盖所述鳍部。
3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述提供基底的步骤中，分立的所述鳍部延第一方向延伸，且分立的所述鳍部以第二方向排布，所述第一方向与第二方向相互垂直；所述基底还包括位于所述鳍部顶面的硬掩膜层；
4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述提供基底的步骤中，所...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述在所述基底朝向所述鳍部一侧形成隔离材料层的步骤中，所述隔离材料层至少暴露所述鳍部的顶面区域，或者，所述隔离材料层完全覆盖所述鳍部。
3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述提供基底的步骤中，分立的所述鳍部延第一方向延伸，且分立的所述鳍部以第二方向排布，所述第一方向与第二方向相互垂直；所述基底还包括位于所述鳍部顶面的硬掩膜层；
4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述提供基底的步骤中，所述基底还包括位于所述鳍部顶面的硬掩膜层；
5.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述去除部分区域内部分厚度的隔离材料层，形成延伸方向与所述鳍部的延伸方向交叉的第一沟槽，包括：
6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述去除所述第一掩膜层所暴露的部分厚度的隔离材料...
【专利技术属性】
技术研发人员：王洪岩，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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