温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括衬底和凸立于所述衬底的分立的鳍部；在所述基底朝向所述鳍部一侧形成隔离材料层；去除部分区域内部分厚度的隔离材料层，形成延伸方向与所述鳍部的延伸方向交叉的第一沟槽，所述第一沟...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。