【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。
技术介绍
1、在半导体制造中，随着超大规模集成电路的发展趋势，集成电路特征尺寸持续减小，为了适应更小的特征尺寸，金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，mosfet)的沟道长度也相应不断缩短。然而，随着器件沟道长度的缩短，器件源极与漏极间的距离也随之缩短，因此栅极结构对沟道的控制能力随之变差，栅极电压夹断(pinch off)沟道的难度也越来越大，使得亚阈值漏电(subthreshold leakage)现象，即所谓的短沟道效应(sce：short-channel effects)更容易发生。
2、因此，为了减小短沟道效应的影响，半导体工艺逐渐开始从平面mosfet向具有更高功效的三维立体式的晶体管过渡，如鳍式场效应晶体管(finfet)。finfet中，栅极结构至少可以从两侧对超薄体(鳍部)进行控制，与平面mosfet相比，栅极结构对沟道的控制能力更强，能够很好...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述第一核心层之后，所述密集区的第一掩膜侧墙的尺寸与所述稀疏区的第一掩膜侧墙的尺寸的差值在控制范围之内。
3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一掩膜侧墙的侧壁形成保护层的步骤包括：在所述目标层的顶部、所述第一掩膜侧墙的侧壁、以及所述第一核心层的顶部形成保护材料层；去除所述第一核心层顶部和所述目标层顶部的所述保护材料层，剩余的位于所述第一掩膜侧墙侧壁的所述保护材料层作为所述保护层。
4.如权利要求3...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述第一核心层之后，所述密集区的第一掩膜侧墙的尺寸与所述稀疏区的第一掩膜侧墙的尺寸的差值在控制范围之内。
3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一掩膜侧墙的侧壁形成保护层的步骤包括：在所述目标层的顶部、所述第一掩膜侧墙的侧壁、以及所述第一核心层的顶部形成保护材料层；去除所述第一核心层顶部和所述目标层顶部的所述保护材料层，剩余的位于所述第一掩膜侧墙侧壁的所述保护材料层作为所述保护层。
4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述第一核心层顶部和所述目标层顶部的所述保护材料层的工艺包括等离子体干法刻蚀工艺。
5.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述目标层的顶部、所述第一掩膜侧墙的侧壁、以及所述第一核心层的顶部形成保护材料层的步骤包括：进行沉积处理，在所述目标层的顶部、所述第一掩膜侧墙的侧壁、以及所述第一核心层的顶部形成牺牲层；对所述牺牲层进行改性处理，将所述牺牲层转化为保护材料层；
6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料包括无定型硅。
7.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述改性处理包括氧化处理。
8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氧化处理采用的气体包括氧气。
9.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氧化处理包括热氧化工艺。
10.如权利要求9所述的半导体结构...
【专利技术属性】
技术研发人员：汪刘建，郑冲冲，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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