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一种半导体结构的形成方法,方法包括:提供基底,所述基底包括密集区和稀疏区,所述基底包括用于形成目标图形的目标层,密集区和稀疏区的目标层上形成有凸立的第一核心层;在所述第一核心层的侧壁形成第一掩膜侧墙;在所述第一掩膜侧墙的侧壁形成保护层;形成...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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一种半导体结构的形成方法,方法包括:提供基底,所述基底包括密集区和稀疏区,所述基底包括用于形成目标图形的目标层,密集区和稀疏区的目标层上形成有凸立的第一核心层;在所述第一核心层的侧壁形成第一掩膜侧墙;在所述第一掩膜侧墙的侧壁形成保护层;形成...