【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种集成电路的制造方法，且尤其是涉及一种半导体器件的制造方法。
技术介绍
1、随着科技的进步，各类电子产品朝向轻薄短小的趋势发展，且存储器件的关键尺寸亦逐渐缩小，进而使得光刻工艺愈来愈困难。在现有光刻工艺中，缩小关键尺寸的方法包括使用较大数值孔径的光学器件、较短的曝光波长(例如euv)或是除了空气以外的界面介质(例如水浸入)。随着现有光刻工艺的分辨率接近理论极限，制造商已开始转向双重图案化(double-patterning，dp)方法来克服光学极限，进而提升存储器件的集成度。
2、然而，在目前的图案化方法中，常有图案因为高宽比过大而发生弯曲或倒塌的情形，因此，亟需一种图案化的方法可以避免前述问题。
技术实现思路
1、根据本专利技术的实施例，一种半导体器件的制造方法，包括：在目标层上方形成核心材料层。在所述核心材料层上形成图案化掩模层。形成第一间隙壁层，以覆盖所述图案化掩模层与所述核心材料层。进行第一处理工艺，以形成经处理的第一间隙壁层。对所述经处理的第一间隙壁层以及所述图案化掩模层进行第一移除工艺，以形成多个第一间隙壁。以所述多个第一间隙壁为掩模，将所述核心材料层图案化，以形成核心层。形成第二间隙壁层，以覆盖所述核心层。进行第二处理工艺，以形成经处理的第二间隙壁层。对所述经处理的第二间隙壁层以及所述核心层进行第二移除工艺，以形成多个第二间隙壁。将所述多个第二间隙壁的图案转移至所述目标层，以形成图案化目标层。
2、根据本专利技术的实施例，一种半
3、本专利技术实施例通过第一处理工艺和/或第二处理工艺，可以使得第一间隙壁层和/或第二间隙壁层具有更佳的性质与强度，因此可以避免后续形成第一间隙壁与第二间隙壁发生弯曲或倒塌，使得目标层可以形成所需的图案。
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1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中所述第一间隙壁层以及所述第二间隙壁层材料包括介电材料。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中所述经处理的第一间隙壁层的致密度高于所述第一间隙壁层的致密度；所述经处理的第二间隙壁层的致密度高于所述第二间隙壁层的致密度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中所述经处理的第一间隙壁层的硬度高于所述第一间隙壁层的硬度，所述经处理的第二间隙壁层的硬度高于所述第二间隙壁层的硬度。
5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中所述经处理的第一间隙壁层的亲水性不同于所述第一间隙壁层的亲水性；所述经处理的第二间隙壁层的亲水性不同于所述第二间隙壁层的亲水性。
6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中所述第二处理工艺的剂量大于所述第一处理工艺的剂量。
7.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中在进行所述第二处理工艺时，部分的所述第二间隙壁层还残留覆盖在所述核心层上。
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9.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其中所述经处理的第一间隙壁层的致密度高于所述第一间隙壁层的致密度；所述经处理的第二间隙壁层的致密度高于所述第二间隙壁层的致密度。
11.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其中所述经处理的第一间隙壁层的硬度高于所述第一间隙壁层的硬度；所述经处理的第二间隙壁层的硬度高于所述第二间隙壁层的硬度。
12.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其中所述经处理的第一间隙壁层的亲水性不同于所述第一间隙壁层的亲水性；所述经处理的第二间隙壁层的亲水性不同于所述第二间隙壁层的亲水性。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中所述第一间隙壁层以及所述第二间隙壁层材料包括介电材料。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中所述经处理的第一间隙壁层的致密度高于所述第一间隙壁层的致密度；所述经处理的第二间隙壁层的致密度高于所述第二间隙壁层的致密度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中所述经处理的第一间隙壁层的硬度高于所述第一间隙壁层的硬度，所述经处理的第二间隙壁层的硬度高于所述第二间隙壁层的硬度。
5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中所述经处理的第一间隙壁层的亲水性不同于所述第一间隙壁层的亲水性；所述经处理的第二间隙壁层的亲水性不同于所述第二间隙壁层的亲水性。
6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中所述第二处理工艺的剂量大于所述第一处理工艺的剂量...
【专利技术属性】
技术研发人员：余秉隆，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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