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本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：在目标层上方形成核心材料层与图案化掩模层。形成第一间隙壁层，以覆盖所述图案化掩模层与所述核心材料层。进行第一处理工艺，以形成经处理的第一间隙壁层。对所述经处理的第一间隙壁层以及所述图案化掩模层进行第...
该专利属于华邦电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华邦电子股份有限公司授权不得商用。

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