半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底，包括衬底以及凸立于所述衬底的鳍部；栅极结构，位于所述衬底上且横跨所述鳍部，所述栅极结构覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁；层间介质层，位于所述栅极结构侧部的衬底上，所述层间介质层覆盖所述栅极结构的侧壁；隔断结构，位于相邻的所述栅极结构的端部之间，所述隔断结构用于在所述栅极结构的延伸方向上将所述栅极结构进行分割；停止层，位于所述栅极结构、隔断结构和层间介质层上。本发明专利技术实施例有利于半导体器件的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

1、随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件朝着更高的元件密度，以及更高的集成度的方向发展。晶体管作为最基本的半导体器件目前正被广泛应用，因此随着半导体器件的元件密度和集成度的提高，平面晶体管的栅极尺寸也越来越短，传统的平面晶体管对沟道电流的控制能力变弱，产生短沟道效应，产生漏电流，最终影响半导体器件的电学性能。

2、为了更好的适应特征尺寸的减小，半导体工艺逐渐开始从平面mosfet向具有更高功效的三维立体式的晶体管过渡，如鳍式场效应晶体管(finfet)。且目前形成栅极的工艺过程中，通常采用栅极切断(gate cut)技术对条状栅极进行切断，切断后的栅极与不同的晶体管相对应，可以提高晶体管的集成度。此外，多个栅极沿着延伸方向排列成一列时，通过栅极切断技术，能够高精度地缩小栅极切断后，断开的栅极间的对接方向的间距(gatecut cd)。

技术实现思路

1、本专利技术实施例解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构为金属栅极结构。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构包括栅介质层、以及覆盖所述栅介质层的栅电极层；

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述隔断结构的材料包括氮化硅和氧化硅中的一种或多种。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述停止层的材料包括氧化硅、多晶硅和铝化钛中的一种或多种。

6.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构为金属栅极结构。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构包括栅介质层、以及覆盖所述栅介质层的栅电极层；

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述隔断结构的材料包括氮化硅和氧化硅中的一种或多种。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述停止层的材料包括氧化硅、多晶硅和铝化钛中的一种或多种。

6.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述栅极开口中形成栅极材料层的步骤包括：在所述栅极开口中形成初始栅极材料层，所述初始栅极材料层还覆盖所述层间介质层顶部；

8.如权利要求6或7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述栅极开口中形成栅极材料层的步骤中，位于所述层间介质层顶面的所述栅极材料层的厚度为至

9.如权利要求6或7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述平坦化处理的工艺包括化学机械研磨工艺。

10.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述栅极材料层和所述隔断材料层进行平坦化处理，形成栅极结构以及隔断结构，包括：对所述栅极材料层和所述隔断材料层进行平坦化处理，直至剩余所述栅极材料层的高度达到目标高度，剩余的所述栅极材料层作为栅极结构，剩余的所述隔断材料层作为隔断结构。

11.如权利要求10的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述栅极材料层和所述隔断材料层进行平坦化处理的步骤包括：以所述栅极材料层顶面为停止位置，对所述隔断材料层进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：章毅，康文策，荆学珍，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：