本申请提供一种半导体器件及其制备方法。半导体器件包括：第一晶圆具有第一键合面和多个第一切割道；多个第一切割道交错设置，并围设形成多个第一晶格；第二晶圆具有第二键合面和多个第二切割道；第一晶圆和第二晶圆通过第一键合面和第二键合面键合连接；...

本发明公开了一种存储控制器及存储芯片，该存储控制器包括存储器、控制器以及控制寄存器组，控制器通过执行转移类指令将指令从存储器中取出，并进行译码和执行所取到的指令以得到执行数据，再通过位操作类指令可以将生成的对应执行数据写入到控制寄存器组...

本发明公开了一种存储控制器及闪存芯片，该存储控制器包括控制器、控制寄存器组以及执行电路，通过用户指令触发在控制器中基于指令集设置的主程序、写算法子程序、擦算法子程序以及读算法子程序，可以生成对应的执行数据，然后控制寄存器组根据该执行数据...

本发明提供了一种电容器及其制造方法、工作方法，所述电容器包括：基底；自下向上形成于所述基底上的下极板、第一介质层和上极板，所述下极板包括金属层，所述上极板包括N型掺杂多晶硅层；或者，所述下极板包括N型掺杂多晶硅层，所述上极板包括金属层；...

本发明公开了一种存储控制器及闪存芯片，该存储控制器包括加速模块和控制器，控制器与加速模块电性连接；加速模块包括读操作硬件加速器、写操作硬件加速器以及擦除操作硬件加速器，读操作硬件加速器与控制器电性连接，读操作硬件加速器包括读操作硬件逻辑...

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，半导体器件的制造方法包括：提供一衬底，所述衬底包括NMOS器件区和PMOS器件区，所述NMOS器件区和所述PMOS器件区的衬底上均形成有栅极结构；形成缓冲层于所述NMOS器件区和所述PMOS器件区的...

本申请公开了一种半导体器件及芯片，包括：第一半导体基体、第一介质层以及第一绝缘层；其中，第一半导体基体具有第一表面，第一介质层设置在第一半导体基体的第一表面上，第一介质层中开设有第一通孔，第一通孔露出第一半导体基体的部分第一表面；第一绝...

本申请提供一种半导体器件及其制作方法，该半导体器件包括：衬底，该衬底包括主体区和漂移区，该漂移区中形成有浅槽隔离结构，该浅槽隔离结构内形成有凹槽；位于该衬底上的栅极结构，该栅极结构包括位于该主体区和漂移区上的主体栅极、以及自该主体栅极一...

本申请提供一种半导体器件及其制作方法，该半导体器件包括：衬底，该衬底包括主体区和漂移区，该漂移区包括间隔区；位于该衬底上的栅介质层，该栅介质层从该主体区延伸至该漂移区，且与该间隔区边缘邻接；位于该栅介质层上且延伸至该间隔区上方的栅极结构...

本发明提供一种电容器及其制造方法、工作方法，电容器包括：形成有第一介质层的衬底，第一介质层中形成有金属互连线；自下向上形成于部分第一介质层上的下极板、第二介质层和上极板；第一导电结构、第二导电结构和第三导电结构，第一导电结构与上极板电连...

本发明提供了一种测试结构及测试方法，所述测试结构包括：衬底；器件结构，形成于所述衬底上；第一保护二极管和第二保护二极管，形成于所述衬底中，所述第一保护二极管和所述第二保护二极管与所述器件结构并联，所述第一保护二极管与所述第二保护二极管的...

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：提供一衬底；形成图案化的掩膜层于所述衬底上；以图案化的掩膜层为掩膜，执行离子注入工艺，以在衬底中形成漂移区，图案化的掩膜层具有宽度沿着源极区向漏极区方向增大的开口，使...

本发明提供一种激光切割基板的方法及激光切割装置，包括：激光源发出的激光聚焦于基板上，基板上的不同材料层产生不同的反射光谱信号，反射光谱信号发送至光谱分析单元；光谱分析单元将反射光谱信号与标准图谱对比，计算出基板的不同材料层各自对应的折射...

本申请提供了一种键合设备和键合方法，用于键合第一键合对象和第二键合对象。键合设备包括承载对准装置、承载膜和压着装置。承载对准装置用于承载和移动第一键合对象，承载膜用于粘接有第二键合对象，且带动第二键合对象移动，压着装置用于将承载膜上粘接...

本发明涉及一种图像传感器结构及其形成方法，其中，通过接合所述第一键合层和所述第二键合层将所述至少一个芯片单元与所述像素基板连接，所述芯片单元包括所述像素基板中的感光单元的信号处理电路和/或存储元件，通过使芯片单元与像素基板连接，所述信号...

本申请提供一种键合头、键合装置键合方法。键合头包括键合块，键合块的底面包括第一区域和第二区域，第一区域包括键合块的底面的中心区域，第二区域环绕第一区域，第一区域中设置有第一压力施加装置的至少部分，第二区域中设置有吸附第一键合对象的第二压...

本申请属于半导体技术领域，特别是涉及一种半导体器件，包括基底层、缓冲层和修复层，基底层包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面设置多个第一凹槽；缓冲层设置于第一表面上，且覆盖第一凹槽，并形成第二凹槽；修复层设置于缓冲层背离基底层一侧，...

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种半导体器件及制作方法，该半导体器件包括：包括基底、绝缘层、导电材质、金属布线层和电性引出结构，基底包括相背设置的第一表面和第二表面，基底包括有源区域，基底的第一表面一侧形成有金属布线层，基底的有源...

本发明提供了一种晶圆切割装置以及晶圆切割方法，晶圆具有多个曝光区以及连接相邻曝光区之间的第一切割道区，曝光区具有多个芯片区以及连接相邻芯片区之间的第二切割道区，且每个曝光区具有至少两种不同面积的芯片区；至少两个拐角相对的曝光区之间的靠近...

本发明涉及一种三维集成装置及其制造方法。所述制造方法中，利用第一载片晶圆形成晶圆级互连层，再在所述晶圆级互连层上接合设定数量的目标芯片，并通过晶圆重塑层进行晶圆重塑，进而接合第二载片晶圆以移除第一载片晶圆，在暴露的所述晶圆级互连层的第一...