半导体器件制造技术

本申请属于半导体技术领域，特别是涉及一种半导体器件，包括基底层、缓冲层和修复层，基底层包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面设置多个第一凹槽；缓冲层设置于第一表面上，且覆盖第一凹槽，并形成第二凹槽；修复层设置于缓冲层背离基底层一侧，且至少部分所述修复层填充于所述第二凹槽中，所述修复层用于修复所述第一凹槽所在位置处所述基底层表面的缺陷。本申请的半导体器件可以减小基底层的暗电流，提高量子效率。提高量子效率。提高量子效率。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件


[0001]本申请属于半导体
，特别是涉及半导体器件。

技术介绍

[0002]半导体器件在光电领域具有广泛的应用，对于硅基的光电半导体器件而言，硅的表面反射率很高，如果对硅表面不进行任何处理，那么它对可见光和近红外光的反射率较高。晶体硅对光的高反射率，使得采用晶体硅制备的相关光电半导体器件的量子效率非常不理性，最终严重制约其光电产品的应用领域和使用性能。
[0003]人们常常在硅表面制备各种“绒面”结构，如金字塔阵列，这些结构可增加光在硅表面的反射次数，从而来增强硅表面对入射光能的俘获能力，即减少光能反射损失，提高半导体器件对光的吸收和转化效率。
[0004]目前制备的硅半导体器件仍然存在暗电流较大，量子效率有待提高的问题。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本申请主要解决的技术问题是提供一种半导体器件，能够降低半导体器件的暗电流，提高量子效率。
[0006]为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：一种半导体器件，包括基底层、缓冲层和修复层，基底层包括相对设置的第一表面和第二表本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：基底层(10)，所述基底层(10)包括相对设置的第一表面(11)和第二表面(12)，所述第一表面(11)设置多个第一凹槽(13)；缓冲层(20)，所述缓冲层(20)设置于所述第一表面(11)上，且至少部分所述缓冲层(20)覆盖所述第一凹槽(13)，并形成第二凹槽(21)；修复层(30)，所述修复层(30)设置于所述缓冲层(20)背离所述基底层(10)的一侧，且至少部分所述修复层(30)填充于所述第二凹槽(21)中，所述修复层(30)用于修复所述第一凹槽(13)所在位置处所述基底层(10)表面的缺陷。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述至少部分所述修复层(30)填充于所述第二凹槽(21)中，形成第三凹槽(31)，还包括：抗反射层(40)，所述抗反射层(40)设置于所述修复层(30)背离所述基底层(10)一侧，且至少部分所述抗反射层(40)填充于第三凹槽(31)中。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述抗反射层(40)背离所述基底层(10)一侧的表面为平面。4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述抗反射层(40)包括：第一抗反射层(41)，所述第一抗反射层(41)设置于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：古立亮，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：新型
国别省市：