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本申请属于半导体技术领域，特别是涉及一种半导体器件，包括基底层、缓冲层和修复层，基底层包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面设置多个第一凹槽；缓冲层设置于第一表面上，且覆盖第一凹槽，并形成第二凹槽；修复层设置于缓冲层背离基底层一侧，且至...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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