本发明涉及一种半导体器件的制作方法。所述制作方法中，在对半导体衬底进行一热氧化工艺之前，在所述半导体衬底的背面形成背面垫氧化层和覆盖所述背面垫氧化层的背面隔离层，在进行所述热氧化工艺时，所述背面隔离层可以阻挡氧气穿透所述背面隔离层和所述...

本公开提供一种半导体器件及其制备方法。该半导体器件包括：SOI基材，所述SOI基材包括自下而上的半导体衬底、埋氧层和半导体层；半导体层包括器件区域和保护二极管区域，保护二极管区域包括第一类型掺杂区和第二类型掺杂区，第一类型掺杂区和第二类...

本申请公开了一种芯片键合装置及芯片键合系统，包括拾取机构和键合机构；拾取机构非接触的吸取芯片，并翻转芯片，使拾取机构与芯片的第一表面接触，再将芯片转移至交换区域；键合机构设置在交换区域，吸取芯片并与芯片的第一表面接触，以使芯片与拾取机构...

本发明涉及一种三维集成器件及其形成方法。所述三维集成器件包括由至少两层芯片堆叠而成的堆叠体以及键合于堆叠体的第一表面的载片，所述堆叠体的第一表面形成有导热沟槽，所述载片具有第一通孔和第二通孔，所述第一通孔和所述第二通孔分别露出导热沟槽的...

本申请公开了一种半导体设备的单元组件和半导体设备。该半导体设备的单元组件包括腔室和排气通道。排气通道的一端与腔室连通，另一端连通至半导体设备的排气连通管路。其中，排气通道上设置有排气调节装置，该排气调节装置上设置有多个排气孔，且排气调节...

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：第一基板，包括正面以及与所述正面相背的背面，第一基板正面形成有器件结构，第一基板背面形成有深沟槽电容；第一绝缘层、第二绝缘层，分别形成于所述第一基板的正面与背面；第一互联结构、第二...

本发明提供了一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底中具有开口，所述开口中至少形成有两层填充层，其中，至少一层所述填充层为导电层，两层所述填充层相接的表面均为凹凸面并且相适配。由此既可以分散所述填充层上...

本发明公开了一种半导体器件的制造方法及半导体器件，制造方法包括：提供半导体基材，半导体基材具有相对的功能器件面和背面；从半导体基材的功能器件面向半导体基材开设第一深沟槽，并在第一深沟槽中形成第一隔离层以作为隔离区；其中，隔离区用于隔离所...

本申请提供一种半导体器件及其制备方法。该方法包括提供半导体基体；半导体基体包括衬底、介质层以及半导体材料层；其中，衬底上开设有沟槽，介质层包括第一介质部和第二介质部；第一介质部覆盖在沟槽的内壁面上，并界定形成第一开口；第二介质部覆盖在衬...

本发明涉及一种CMOS图像传感器及其形成方法、车载摄像头。其中，用于形成CMOS图像传感器的像素基底具有多个像素，第一层间介质层覆盖各个所述像素，PIP电容对应于每个所述像素形成于第一层间介质层上，所述PIP电容耦接相应像素中的所述浮置...

本发明提供了一种半导体结构中孔槽的形成方法及键合结构，提供第一半导体结构，自所述第一半导体结构的第一表面对所述第一半导体结构执行离子注入工艺以在所述第一半导体结构中形成至少一个第一离子注入区；接着，将所述第一半导体结构的第一表面与第二半...

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件的制造方法包括：提供一晶圆，晶圆形成有顶层金属层，刻蚀停止层覆盖顶层金属层，刻蚀停止层为至少两层堆叠的结构；形成键合层于刻蚀停止层上；刻蚀键合层，且刻蚀停止于刻蚀停止层的非最底层结构中，...

本发明涉及一种芯片键合装置及键合方法。所述芯片键合装置中，键合头的下表面采用柔性材料形成，并且在键合头内设置有用于控制所述柔性材料变形的驱动结构，利用所述驱动结构，键合头的下表面在平面状态下与芯片键合，并在与芯片键合之后键合头的下表面转...

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件的制造方法包括：提供一形成有顶层金属层的晶圆，刻蚀停止层覆盖所述顶层金属层；形成键合层于所述刻蚀停止层上；刻蚀所述键合层，且刻蚀停止于所述键合层中，以形成沟槽；填充保护层于所述沟槽中；刻...

本发明涉及一种CMOS图像传感器及其形成方法。所述CMOS图像传感器中，源极跟随晶体管的栅极包括位于栅极沟槽内的第一栅极和位于半导体衬底上且与所述第一栅极连接的第二栅极，相对于在半导体衬底上方形成源极跟随晶体管的栅极，在占据像素平面面积...

本申请提供一种气体监测装置、半导体制程设备及气体监测方法。该气体监测装置应用于半导体制程设备中，并且设置在气体通路上。该气体监测装置包括：发光件，被配置为发出能够穿过气体通路和/或气体通路管壁的第一光信号；和感光件，被配置为接收第一光信...

本申请提供一种晶圆封装体及晶圆的封装方法、晶粒封装体及封装体。该晶圆的封装方法包括：提供晶圆和饼状的封装层；所述晶圆包括衬底和层叠于所述衬底表面的介质层；将所述饼状的封装层设于所述介质层背离所述衬底的一侧表面，或者将所述饼状的封装层设于...

本申请提供一种半导体器件的制造方法以及半导体器件，该方法包括：提供半导体衬底，其中，半导体衬底包括有源器件区域和隔离有源器件区域的隔离结构，有源器件区域包括第一类型掺杂区；在半导体衬底暴露出第一类型掺杂区的第一表面形成氧化层；对氧化层进...

本申请公开了一种半导体器件及其制程方法。半导体器件包括基底，包括相对的器件表面和背面；隔离沟槽，形成在基底的背面，并从基底的背面向器件表面所在的方向延伸；高介电介质层，至少覆盖隔离沟槽，其中，高介电介质层包括至少两层介质子层，每层介质子...

本申请提供一种半导体器件及其制备方法。半导体器件包括：第一晶圆具有第一键合面和多个第一切割道；多个第一切割道交错设置，并围设形成多个第一晶格；第二晶圆具有第二键合面和多个第二切割道；第一晶圆和第二晶圆通过第一键合面和第二键合面键合连接；...