本发明提供了一种具有埋入式电源轨的半导体结构及其制造方法，信号网络层自基底的第一表面分别和器件结构和埋入式电源轨电连接，以提供信号；电力输送网络层自基底的第二表面分别和器件结构和埋入式电源轨电连接，以提供电源，可以从所述器件结构的两侧以...

本发明提供了一种具有埋入式电源轨的半导体结构及其制造方法，先在半导体衬底中形成埋入式电源轨，接着在所述半导体衬底的第二表面侧形成器件结构，再接着在所述半导体衬底的第二表面侧形成连接结构以及信号网络层，在所述半导体衬底的第一表面侧形成电力...

本申请公开了一种存储器及擦除方法，该擦除方法通过先接收擦除指令，再判断擦除错误位、擦除错误地址是否符合擦除条件，然后响应于确定符合擦除条件而执行擦除模式，可以根据该擦除错误位在该擦除错误地址对应的存储空间上再执行擦除模式，能够更成功地擦...

本申请提供一种半导体器件及其制备方法。该制备方法包括提供半导体基体，半导体基体包括第一钝化层、设于第一钝化层上的第一金属层以及第二钝化层，第二钝化层覆盖第一金属层，且第二钝化层具有第一开口，第一开口露出第一金属层的至少部分；在第二钝化层...

本申请公开了一种灵敏放大器及存储芯片，该灵敏放大器包括数据线、第一电流源、第二电流源、第一晶体管、第二晶体管、以及容性模块，通过数据线、第一电流源、第二电流源、第一晶体管、第二晶体管、以及容性模块搭建起来的架构，在应用于小存储阵列的情况...

本申请提供一种立体图像传感模块及图像传感器。该立体图像传感模块包括：半导体基体和多个栅极结构；半导体基体沿高度方向延伸，其中，所述半导体基体的顶面作为感光面；多个栅极结构沿所述高度方向分别设置在所述半导体基体的外侧，其中，多个所述栅极结...

本申请提供一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括：半导体衬底具有相背的正面和背面；正面深沟槽隔离结构从半导体衬底的正面向半导体衬底的内部延伸；背面深沟槽隔离结构从半导体衬底的背面向半导体衬底的内部延伸，每个背面深沟槽隔离结构分别与...

本申请公开了一种存储器及过擦除校正操作方法，该操作方法通过先对存储器执行过擦除校验，然后对存在过擦除的一存储区域执行过擦除校正，再停止过擦除校验，不仅在读取操作之前对存在过擦除的一存储区域进行了过擦除校正，避免了漏电导致的误读；而且仅对...

本发明涉及一种CMOS图像传感器及其形成方法。所述CMOS图像传感器中，形成于基底上的LOFIC电容耦接至所述基底中的浮置扩散区，可用于选择性地增大所述浮置扩散区节点的电容容量，所述LOFIC电容的下极板覆盖于第一层间介质层中的贯通孔内...

本申请提供一种半导体器件及其制程方法。该半导体器件的制程方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括依次层叠的底部半导体层、埋氧层和顶部半导体层；在所述半导体衬底的隔离区域中形成第一连通孔和空气孔，所述第一连通孔和所述空气孔贯穿至所述底...

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，半导体器件的制造方法包括：提供一衬底；形成第一介质材料覆盖于所述衬底上，所述第一介质材料中分散有第二介质材料；刻蚀去除所述第一介质材料和所述第二介质材料，其中，对所述第二介质材料的刻蚀速率大于对所述...

本申请公开了一种带有系统误差补偿功能的键合装置，包括：可移动取物台，被配置为移动第一元件；载台，被配置为移动第二元件；第一图像采集装置，被配置为读取被驱动至对准位的第一元件和第二元件的对准标记；第二图像采集装置，响应于键合装置执行系统误...

本发明提供了一种半导体测试装置、半导体测试方法及探针，半导体测试装置包括：测试单元，包括探针，所述探针用于进行测试；刚柔调节单元，用于在测试时调节所述探针由刚性转变为柔性，以及，用于在所述探针离开被测件后调节所述探针由柔性转变为刚性。本...

本发明提供了一种晶圆贴片环清洗装置及方法、晶圆切割装置及方法，晶圆贴片环清洗装置包括：擦拭部，所述擦拭部吸附有清洗溶剂，所述擦拭部与所述晶圆贴片环挤压接触；运动单元，用于使得所述擦拭部与所述晶圆贴片环之间相对挤压运动，以使得所述擦拭部向...

本申请提供一种芯片的键合装置及键合方法，该键合装置包括，可移动取物台被配置为移动第一元件；承载平台被配置为承载并移动第二元件；校正组件被配置为提供校正标识，校正组件与第一元件或第二元件保持固定距离；图像采集装置被配置为读取第一元件和校正...

本申请公开了一种读操作方法及存储芯片、频率检测电路，该读操作方法通过检测读指令的频率是属于更高的第一频率范围还是更低的第二频率范围，能够识别出读指令的频率高低，再根据读指令的频率高低进入高频读取模式或者低频读取模式，进而有利于实现在读指...

本申请提供一种键合装置及键合方法，该键合装置包括可移动取物台，被配置为移动第一元件；承载平台被配置为移动第二元件；图像采集装置被配置为分别读取处于图像采集装置两侧的第一元件和第二元件的对准标识，其中，读取后的第一元件的对准标识和第二元件...

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件的制造方法包括：于源极区和漏极区上形成贯穿第一绝缘介质层的至少一个导电插塞，且导电插塞与第一绝缘介质层之间形成有第一保护层；形成第二绝缘介质层于第一绝缘介质层上，且第二绝缘介质层覆盖第一...

本发明涉及一种多晶圆堆叠结构及一种封装方法。所述多晶圆堆叠结构具有芯粒区以及位于所述芯粒区外围的切割区，在所述切割区，相邻两个所述晶圆的界面包括金属‑金属键合界面，增强了所述切割区的键合强度。所述封装方法中，切割所述多晶圆堆叠结构而得到...

本技术提供了一种喷嘴安装装置及涂胶显影机，用于将喷嘴结构安装于涂胶显影机的机械臂上，且使得所述喷嘴结构的底面与所述涂胶显影机的卡盘顶面之间的距离在设定规格内，所述喷嘴安装装置包括水平支撑板和夹板，所述水平支撑板设置于所述卡盘上，所述夹板...