本申请提供一种气路部件、盖板组件以及半导体制程设备，气路部件包括基材和多个气孔，基材包括底壁和环绕所述底壁设置的外周壁，多个气孔开设于所述外周壁，并沿外周壁的周向间隔设置；每个气孔在外周壁相对的两端面上分别形成进气口和出气口，沿进气口指...

本发明提供一种半导体测试结构及半导体测试方法，半导体测试结构包括：衬底；第一测试结构和第二测试结构，均包括位于衬底第一表面一侧的测试导电层与位于衬底第二表面一侧的测试焊盘以及电连接测试导电层与测试焊盘的第一通孔插塞结构；第一子测试结构和...

本发明涉及一种具有垂直沟道区的CMOS图像传感器及一种CMOS图像传感器的形成方法。所述CMOS图像传感器中，光电二极管、传输晶体管以及浮置扩散区与像素电路中的另一些晶体管分别形成于两个键合单元中并垂向叠加，有助于减小像素的面积，提高集...

本发明提供了一种半导体器件，包括：芯片区；密封环，围绕所述芯片区，所述密封环的侧壁上形成有至少一个开口，所述密封环内外通过所述开口连通，且所述开口的入口部分至出口部分之间的路径为弯折路径

本申请提供一种

本发明提供了一种用于转接板的基底结构以及转接板的制造方法，在基板的背面形成保护层，在对所述基板执行热氧化工艺以在导通孔中形成氧化层的过程中，通过所述保护层阻挡所述基板的背面的氧化，也即阻挡所述基板的背面的氧化层的形成。由此，在对所述基板...

本发明提供了一种键合头、键合设备及键合方法，键合头包括基座和固定于所述基座上的头部，所述头部为弹性结构，由此，在利用所述键合头执行键合工艺时，在将一待键合件转移至另一待键合件之后，能够利用所述键合头继续向两个待键合件施加压力，而利用所述...

本申请公开了一种测试探针及电子器件的测试方法，其中，测试探针包括锥状测试端；锥状测试端包括：刚性部和柔性部，柔性部与刚性部结合在一起，在锥状测试端与接触电极接触时，用于执行测试；即本申请通过刚性部和柔性部结合的方式，减少刚性部与接触电极...

本发明涉及一种双深度沟槽的形成方法以及一种图像传感器的形成方法。所述双深度沟槽的形成方法中，先在衬底中形成深度为第一深度与第二深度之差的差值沟槽，再形成具有第二深度的第二沟槽，同时加深所述差值沟槽而形成具有第一深度的第一沟槽。所述差值沟...

本申请提供一种键合装置及键合方法。该键合装置包括：机台，包括可移动载物台；光栅组件被配置为确定可移动载物台沿第一方向、第二方向的位移信息；基于沿第一方向、第二方向的位移信息，光栅组件还被配置为确定可移动载物台的坐标信息。由此，可以实现可...

本申请提供一种键合装置及键合方法。该键合装置包括：机台，包括可移动取物台；激光干涉仪组件包括：第一激光干涉仪单元，被配置为确定可移动取物台沿第一方向的位移信息；第二激光干涉仪单元，被配置为确定可移动取物台沿第二方向的位移信息；基于沿第一...

本发明提供了一种有源像素电路、图像传感器和电子设备，所述有源像素电路具有光电二极管以及至少三个MOS晶体管，其中，至少一个MOS晶体管作为传输晶体管，至少另一个MOS晶体管作为复位晶体管，至少又一个MOS晶体管作为其它晶体管，所述传输晶...

本发明提供了一种转接板、芯片结构、转接板的制造方法以及芯片结构的制造方法，所述转接板包括基底和互连结构，所述基底包括功能区以及围绕所述功能区的悬空区，所述互连结构形成于所述功能区中，由此可以无需对整个基底执行曝光工艺，相应的，可以减少掩...

本发明提供了一种半导体封装结构及其制造方法，所述半导体封装结构包括第一转接板和第二转接板，所述第一转接板中形成有第一线路结构，所述第二转接板中形成有第二线路结构，通过两块转接板的架构实现芯片和PCB板之间的电性连接并通过所述第一线路结构...

本申请公开了一种掩膜板提取工具及其包括该掩膜板提取工具的一种光刻机，该掩膜板提取工具包括：支撑体；至少一吸附装置，设置在所述支撑体的一侧，所述吸附装置分别提供吸附力以吸附掩膜板；气管，一端与所述吸附装置相通，另一端用于光刻机的真空接口连...

本发明提供了一种光罩及光刻方法，所述光罩包括：基板以及位于所述基板上的多个对位标记图案，其中，至少两个所述对位标记图案不同，并且部分所述对位标记图案能够被遮挡。由此，针对不同的产品时，可以使用同一光罩上的不同的对位标记图案，同时遮挡其余...

本发明提供了一种半导体封装结构及半导体封装方法，所述半导体封装方法包括：提供一晶圆键合结构，所述晶圆键合结构的边缘形成有凹槽；放置封装模具于所述晶圆键合结构上，所述封装模具具有空腔，所述空腔内外通过所述凹槽连通；并且，注入塑封材料至所述...

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，半导体器件的制造方法包括：提供器件晶圆和承载晶圆；形成键合层于所述器件晶圆和/或所述承载晶圆上；执行键合工艺，使得所述器件晶圆通过所述键合层与所述承载晶圆键合；形成绝缘介质层，所述绝缘介质层覆盖所述...

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：第一晶圆；沟槽隔离环，形成于所述第一晶圆中，所述沟槽隔离环包括第一金属层；第一绝缘介质层，形成于所述第一晶圆的表面，所述第一绝缘介质层中形成有至少一个第一通孔和至少一个第二通孔...

本发明提供一种电容器及其制造方法，电容器的制造方法包括：提供一衬底；形成自下向上的下极板层、第一介质层和上极板层于所述衬底上；执行干法刻蚀工艺，以形成上极板，并刻蚀停止于所述第一介质层中；执行湿法刻蚀工艺，以去除所述上极板边缘下方暴露出...