转接板、芯片结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种转接板、芯片结构、转接板的制造方法以及芯片结构的制造方法，所述转接板包括基底和互连结构，所述基底包括功能区以及围绕所述功能区的悬空区，所述互连结构形成于所述功能区中，由此可以无需对整个基底执行曝光工艺，相应的，可以减少掩膜版的使用，并进而能够降低曝光工艺的难度。进而能够降低曝光工艺的难度。进而能够降低曝光工艺的难度。

【技术实现步骤摘要】
转接板、芯片结构及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种转接板、芯片结构、转接板的制造方法以及芯片结构的制造方法。

技术介绍

[0002]近年来，2.5D转接板(Interposer)技术借助其异质集成带来的高通信速率和能源效率的显著优势获得了广泛的关注。通常在一个转接板上将集成一个逻辑芯片(SOC)和多个高带宽缓存(HBM)芯片。现有技术中为了实现这一结构，需要两张及以上掩膜版(Mask)拼接完成转接板的曝光。如图1所示，对于承载一个逻辑芯片(图中未示出)和四个高带宽缓存芯片(图中未示出)的转接板100，为了形成所述转接板100，现有技术中需要掩膜版M1和掩膜版M2交叠拼接以完成所述转接板100的曝光。如图1所示，在执行曝光工艺中，掩膜版M1和掩膜版M2存在交叠区域MM1。
[0003]采用多张掩膜版拼接曝光的方式形成转接板会成倍降低光刻机的曝光效率；同时，掩膜版的使用数量将会成倍增长，相应地增加了生产成本；此外，随着掩膜版数量的增加，掩膜版之间交叠拼接的几何关系变得复杂，曝光工艺也更加复杂了。因此，本领域本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种转接板，其特征在于，所述转接板包括基底和互连结构，所述基底包括功能区以及围绕所述功能区的悬空区，所述互连结构形成于所述功能区中。2.如权利要求1所述的转接板，其特征在于，所述功能区的大小是掩膜版大小的整数倍。3.如权利要求2所述的转接板，其特征在于，所述功能区的大小与一张掩膜版的大小相同。4.如权利要求1～3中任一项所述的转接板，其特征在于，所述悬空区沿着所述基底表面的宽度介于1mm～3mm之间。5.如权利要求1～3中任一项所述的转接板，其特征在于，所述互连结构包括通孔结构以及与所述通孔结构连接的互连线。6.一种芯片结构，其特征在于，所述芯片结构包括多个芯片和如权利要求1～5中任一项所述的转接板，所述芯片和所述转接板的互连结构连接，至少一个所述芯片横跨所述转接板的功能区和悬空区。7.如权利要求6所述的芯片结构，其特征在于，所述多个芯片包括至少一个逻辑芯片和至少一个高带宽缓存芯片，所述逻辑芯片和/或所述高带宽缓存芯片横跨所述功能区...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶国梁，胡胜，赵常宝，陆路，谭学聘，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：