半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：第一晶圆；沟槽隔离环，形成于所述第一晶圆中，所述沟槽隔离环包括第一金属层；第一绝缘介质层，形成于所述第一晶圆的表面，所述第一绝缘介质层中形成有至少一个第一通孔和至少一个第二通孔，所述第一通孔和所述第二通孔分别单独暴露出所述第一金属层的表面和所述第一晶圆的表面；阻挡层，至少形成于所述第二通孔暴露出的所述第一晶圆的表面；以及，第二金属层，形成于所述第一绝缘介质层上，且所述第二金属层填充所述第一通孔和所述第二通孔。本发明专利技术的技术方案能够避免导致接触电阻增大以及铝尖峰等问题，提高了半导体器件的制造工艺的稳定性以及提高了半导体器件的性能。体器件的性能。体器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种半导体器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]对于半导体技术而言，常常需要对半导体器件进行加压工作，例如，现有的背照式CMOS图像传感器(Back
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side Illumination CMOS Imagination Sensor，简称BSI
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CIS)以及深度传感器(Depth Sensor)需要比较高的偏压才能正常工作。其中，对于采用从器件背面加偏压的方式而言，需要从金属焊盘加偏压，再通过金属栅格层(BMG)和金属通孔结构(BMV)连接到硅衬底，使得整个感光器件能够形成一定的偏压。
[0003]例如现有的金属栅格层和金属通孔结构的形成步骤包括：
[0004]首先，将器件晶圆和承载晶圆进行键合；
[0005]然后，对器件晶圆的背面的硅衬底进行减薄；
[0006]然后，形成深沟槽于器件晶圆背面的硅衬底中，并依次覆盖绝缘材料层和第一阻挡层于深沟槽的内表面上，并向深沟槽填充第一金属层，以在深沟本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：第一晶圆；沟槽隔离环，形成于所述第一晶圆中，所述沟槽隔离环包括第一金属层；第一绝缘介质层，形成于所述第一晶圆的表面，所述第一绝缘介质层中形成有至少一个第一通孔和至少一个第二通孔，所述第一通孔和所述第二通孔分别单独暴露出所述第一金属层的表面和所述第一晶圆的表面；阻挡层，至少形成于所述第二通孔暴露出的所述第一晶圆的表面；以及，第二金属层，形成于所述第一绝缘介质层上，且所述第二金属层填充所述第一通孔和所述第二通孔。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一晶圆包括衬底和形成于所述衬底上的器件层，所述沟槽隔离环形成于所述第一晶圆背面的所述衬底中，所述第一绝缘介质层形成于所述衬底的背面。3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽隔离环还包括第二绝缘介质层，所述第二绝缘介质层形成于所述第一晶圆中的沟槽的侧壁和底面，所述第一金属层填充所述沟槽。4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽隔离环的横截面的形状为圆形。5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽隔离环的横截面的形状为方形、六边形或八边形。6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述第一通孔位于所述沟槽隔离环的边长和/或边角的上方，所述第二通孔位于靠近所述沟槽隔离环的边长和/或边角的所述第一晶圆的上方。7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括与所述第一晶圆键合的第二晶圆。8.一种半导体器件，其特征在于，包括：第一衬底；沟槽隔离环，形成于所述第一衬底中，所述沟槽隔离环包括第一金属层；第一绝缘介质层，形成于所述第一衬底的表面，所述第一绝缘介质层中形成有至少一个第一通孔和至少一个第二通孔，所述第一通孔和所述第二通孔分别单独暴露出所述第一金属层的表面和所述第一衬底的表面；阻挡层，至少形成于所述第二通孔暴露出的所述第一衬底的表面；以及，第二金属层，形成于所述第一绝缘介质层上，且所述第二金属层填充所述第一通孔和所述第二通孔。9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽隔离环还包括第二绝缘介质层，所述第二绝缘介质层形成于所述第一衬底中的沟槽的侧壁和底面，所述第一金属层填充所述沟槽。10.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨帆，胡胜，盛备备，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：