本发明提供了一种晶圆键合机台及晶圆键合方法，用于将上层晶圆与下层晶圆键合，所述晶圆键合机台包括：上卡盘，用于吸附所述上层晶圆；下卡盘，设置于所述上卡盘的下方，所述下卡盘具有用于吸附所述下层晶圆的吸附区域以及位于所述吸附区域外围的边缘区域...

本申请公开了一种电镜样品的制备方法及电镜样品，该制备方法包括：提供基体，基体的第一表面上设置有凹槽，至少在凹槽的内壁设置有第一金属种子层；至少在凹槽内的第一金属种子层远离基体的一侧形成金属分隔层，其中，金属分隔层的材质与第一金属种子层的...

本发明提供了一种键合装置及键合方法，所述键合方法包括：提供第一承载膜和第二承载膜，所述第一承载膜上承载有多个芯片，所述第二承载膜上承载有晶圆；采用第一遮蔽罩和第二遮蔽罩分别遮盖所述第一承载膜和所述第二承载膜，且所述第一遮蔽罩暴露出部分个...

本申请提供一种加热基座以及半导体设备，加热基座包括第一承载部和第二承载部；具体的，第一承载部用于承载待加工对象，并用于在对待加工对象进行薄膜沉积处理时，加热待加工对象；第二承载部的至少部分环绕第一承载部设置；其中，第二承载部中设置有冷却...

本申请属于半导体技术领域，特别是涉及测试晶圆、半导体器件的形成方法及半导体器件，测试晶圆包括：基底层、介质层、金属互连结构和金属垫，基底层包括相对设置的第一表面和第二表面；介质层设置于基底层的第一表面上；金属互连结构嵌入于介质层中；在金...

本申请提供一种半导体器件及其制程方法。该半导体器件的制程方法包括：提供半导体结构，半导体结构包括半导体衬底、位于半导体衬底上的栅极，以及覆盖半导体衬底和栅极的层间介质层；半导体结构具有第一源/漏区和第二源/漏区；在第一源/漏区和/或第二...

本申请公开了一种Nor Flash及其擦除方法，该擦除方法通过具有更低阈值电压的第一过擦除矫正电压对容量更大的第一存储部进行过擦除矫正，相较于以具有更高阈值电压的第二过擦除矫正电压对容量更大的第一存储部进行过擦除矫正，由于第一过擦除矫正...

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：提供一衬底，所述衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的衬底中形成有源极区和漏极区；形成第一层间介质层覆盖于所述栅极结构和所述衬底上；刻蚀所述第一层间介质层，以形成暴...

本发明提供一种半导体器件及其制作方法，包括：衬底，衬底包括有源区；有源区用于形成存储单元和LDMOS；有源区位于隔离结构的两侧分别形成有第一导电类型阱区和第一导电类型漂移区；第一导电类型阱区的上表面形成有相邻的隧穿氧化层和场氧化层；栅极...

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：衬底，具有隔离LDMOS区和存储器件区的第一沟槽隔离结构；栅极层，包括相连接的栅极横向部和栅极纵向部，栅极横向部从LDMOS区延伸至存储器件区，栅极纵向部位于LDMOS区的第一沟槽...

本申请公开了一种或非闪存及其操作方法，该操作方法通过在或非闪存中增加缓存区，并写入地址数据和待存储数据至缓存区中创建的对应缓存节点而非直接写入存储区，然后再根据回刷策略写入待存储数据至地址数据对应的存储区，由于缓存区的访问速度高于存储区...

本申请公开了一种半导体器件的电性能测试方法，该制备方法包括：在第一基体的第一表面形成第一线路层；在第一线路层背离第一基体的一侧形成第一测试焊盘，第一测试焊盘与第一线路层中的部分线路电连接；通过第一测试焊盘获得第一线路层的电性能；去除第一...

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法、操作方法，半导体器件包括：形成有沟槽的衬底；第一隔离层，形成于沟槽的底壁上；浮栅层，形成于沟槽中的第一隔离层上，浮栅层与沟槽侧壁之间夹有隧穿氧化层；控制栅层，形成于浮栅层上，且控制栅层与浮栅层之间...

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底具有相背的第一表面和第二表面；掺杂类型相反的第一离子掺杂区和第二离子掺杂区，所述第一离子掺杂区从所述第一表面延伸至所述衬底中，所述第二离子掺杂区从所述第一离子掺杂...

本申请公开了一种存储芯片，该存储芯片包括非挥发性状态寄存器和控制电路，非挥发性状态寄存器包括多个寄存组，每个寄存组包括一标志寄存器和至少一个寄存器，控制电路与非挥发性状态寄存器连接，控制电路用于控制非挥发性状态寄存器的写入次数大于非挥发...

本发明涉及一种芯片封装方法及一种半导体封装结构。所述芯片封装方法将至少一个有效芯片和至少一个深沟槽电容芯片分别与第一器件基板的一侧表面键合，其中，通过键合，所述有效芯片与所述第一器件基板上的电子元器件电连接，所述深沟槽电容芯片使第一器件...

本发明提供一种半导体器件及其制作方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有至少包括两层不同材质的介质层的介质堆叠层；形成贯穿介质堆叠层的开孔；形成填充膜层，填充膜层由同一材质形成且填充开孔；形成绝缘层和嵌设在绝缘层中的导电层；刻蚀衬底形成硅通...

本发明提供一种图像传感器及其制作方法，制作方法包括：提供第一基底；于所述外围电路区形成沟槽；形成金属阻挡层；形成金属层；图形化刻蚀所述沟槽外围的所述第一金属层与所述第一金属阻挡层，形成堆叠的第二金属阻挡层和第二金属层。所述金属栅格、所述...

本发明提供一种中介层结构及其制作方法，包括：提供一基板；形成第一开孔，在第一开孔中填充第一导电层；在基板的第一表面形成第一介质层，在第一介质层中形成第一再分布金属层；形成第二开孔，在第二开孔中填充第二导电层；在基板的第二表面形成第二介质...

本发明提供一种三维集成结构及其制作方法。所述三维集成结构包括沿厚度方向在第一器件基片上堆叠并相邻设置的散热片，提升了三维集成结构的散热能力，所述散热片中的金属散热层可以通过成膜工艺制作，相对于制作散热管道进行散热，制造难度大大降低，有助...