一种加热基座以及半导体设备制造技术

本申请提供一种加热基座以及半导体设备，加热基座包括第一承载部和第二承载部；具体的，第一承载部用于承载待加工对象，并用于在对待加工对象进行薄膜沉积处理时，加热待加工对象；第二承载部的至少部分环绕第一承载部设置；其中，第二承载部中设置有冷却装置，以在对待加工对象进行薄膜沉积处理时，对第二承载部进行降温处理，避免制程气体在第二承载部表面进行反应从而在第二承载部的表面形成沉积物，从而降低清理频率，提高加热基座使用寿命，并能够提高半导体设备的利用率。能够提高半导体设备的利用率。能够提高半导体设备的利用率。

【技术实现步骤摘要】
一种加热基座以及半导体设备


[0001]本申请涉及半导体制造领域，尤其是涉及一种加热基座以及半导体设备。

技术介绍

[0002]随着电子设备的广泛应用，半导体的制造工艺得到了飞速的发展，薄膜沉积工艺在半导体的制造流程中是一种常见的工艺。
[0003]目前的半导体设备使用的加热基座是整体加热，在加工过程中，制程气体会在未被待加工对象覆盖的加热基座的边缘表面反应而沉积，当加热基座的边缘上的沉积物积累到一定厚度就要进行清理，将加热基座的边缘上的沉积物去除。
[0004]然而，对加热基座的边缘上的沉积物进行清理，会降低半导体设备的利用率，且频繁的清理会对加热基座产生损耗，降低其使用寿命。

技术实现思路

[0005]本申请提供一种加热基座以及半导体设备，能够解决现有加热基座需要频繁清理沉积物，使用寿命低的问题，以及现有的半导体设备的利用率低的问题。
[0006]为解决上述技术问题，本申请提供的第一个技术方案为：提供一种加热基座，包括：第一承载部，用于承载待加工对象，并用于在对所述待加工对象进行薄膜沉积处理时，加热所述待加工对象；第二承载部，其中，所述第二承载部的至少部分环绕所述第一承载部设置；其中，所述第二承载部中设置有冷却装置，以在对所述待加工对象进行薄膜沉积处理时，对所述第二承载部进行降温处理，避免制程气体在所述第二承载部表面进行反应。
[0007]在一实施例中，所述冷却装置包括冷却管路，所述冷却管路中通入有流通的冷却物质。
[0008]在一实施例中，所述第二承载部上设置有进水口和出水口，所述冷却管路包括进水管路、换热管路和出水管路；所述进水管路连接所述进水口和所述换热管路；所述换热管路设置于所述第二承载部的侧壁，所述换热管路环绕所述第一承载部且靠近所述第二承载部的上表面；所述出水管路连接所述出水口和所述换热管路。
[0009]在一实施例中，所述第二承载部包括底座和边缘承载部，其中，所述边缘承载部设置在所述底座的边缘处并从所述底座的边缘向背离所述底座的下底面的一侧延伸，所述边缘承载部环绕所述第一承载部。
[0010]在一实施例中，所述边缘承载部与所述第一承载部之间具有空隙，所述空隙用于容置隔热件。
[0011]在一实施例中，所述隔热件的材料包括陶瓷、石棉、气凝胶中的至少一种。
[0012]在一实施例中，所述底座的中心处设置有通孔，所述第一承载部的下表面的至少部分通过所述通孔露出。
[0013]在一实施例中，所述第一承载部内设置有加热装置，所述加热装置靠近所述第一承载部的上表面设置。
[0014]在一实施例中，所述第一承载部包括本体部和凸起部，所述凸起部容置于所述通孔中；所述加热装置连接所述凸起部的下表面上设置的电源线，以通过所述电源线连接电源。
[0015]在一实施例中，所述凸起部的下表面上还设置有温度侦测线，所述半导体设备通过所述温度侦测线以侦测所述第一承载部的温度。
[0016]在一实施例中，所述第一承载部的侧面上还设置有至少一个边缘排气孔，所述边缘排气孔靠近所述第一承载部的上表面，并延伸连接至所述第一承载部的下底面上设置的边缘进气孔，边缘气体通过所述边缘进气孔进入所述第一承载部，并从所述边缘排气孔排出，以防止制程气体在所述待加工对象的侧面进行反应而沉积。
[0017]为解决上述技术问题，本申请提供的第二个技术方案为：提供一种半导体设备，包括上述任意一项所述的加热基座。
[0018]区别于现有技术，本申请提供的加热基座以及半导体设备，加热基座包括第一承载部和第二承载部；具体的，第一承载部用于承载待加工对象，并用于在对待加工对象进行薄膜沉积处理时，加热待加工对象；第二承载部的至少部分环绕第一承载部设置，且与第一承载部间隔；其中，第二承载部中设置有冷却装置，以在对待加工对象进行薄膜沉积处理时，对第二承载部进行降温处理，避免制程气体在第二承载部表面进行反应从而在第二承载部的表面形成沉积物，以解决加热基座需要频繁清理沉积物，且容易造成损耗使其使用寿命降低的问题，从而提高加热基座使用寿命，并能够提高半导体设备的利用率。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中：
[0020]图1为本申请提供的加热基座及待加工对象的一实施例的剖视图；
[0021]图2为本申请提供的加热基座及待加工对象的另一实施例的剖视图；
[0022]图3为本申请提供的加热基座及待加工对象的又一实施例的剖视图；
[0023]图4为本申请提供的半导体设备的一实施例的剖视图；
[0024]图5为本申请提供的加热基座、转移件及待加工对象的一实施例的剖视图。
具体实施方式
[0025]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0026]本申请中的术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。本申请实施例中所有方向性指示(诸
如上、下、左、右、前、后
……
)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0027]在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
[0028]下面结合附图和实施例对本申请进行详细的说明。
[0029]参见图1，图1为本申请提供的加热基座及待加工对象的一实施例的剖视图。具体的，加热基座100包括第一承载部10和第二承载部20；第一承载部10用于承载待加工对象30，并用于在对待加工对象30进行薄膜沉积处理时，加热待加工对象30。其中，待加工对象30可以为用于制造半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种加热基座，应用于半导体设备，其特征在于，包括：第一承载部，用于承载待加工对象，并用于在对所述待加工对象进行薄膜沉积处理时，加热所述待加工对象；第二承载部，其中，所述第二承载部的至少部分环绕所述第一承载部设置；其中，所述第二承载部中设置有冷却装置，以在对所述待加工对象进行薄膜沉积处理时，对所述第二承载部进行降温处理，避免制程气体在所述第二承载部表面进行反应。2.根据权利要求1所述的加热基座，其特征在于，所述冷却装置包括冷却管路，所述冷却管路中通入有流通的冷却物质。3.根据权利要求2所述的加热基座，其特征在于，所述第二承载部上设置有进水口和出水口，所述冷却管路包括进水管路、换热管路和出水管路；所述进水管路连接所述进水口和所述换热管路；所述换热管路设置于所述第二承载部的侧壁，所述换热管路环绕所述第一承载部且靠近所述第二承载部的上表面；所述出水管路连接所述出水口和所述换热管路。4.根据权利要求1所述的加热基座，其特征在于，所述第二承载部包括底座和边缘承载部，其中，所述边缘承载部设置在所述底座的边缘处并从所述底座的边缘向背离所述底座的下底面的一侧延伸，所述边缘承载部环绕所述第一承载部。5.根据权利要求4所述的加热基座，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：李江风，龙俊舟，王力，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：