一种半导体器件及制作方法技术

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种半导体器件及制作方法，该半导体器件包括：包括基底、绝缘层、导电材质、金属布线层和电性引出结构，基底包括相背设置的第一表面和第二表面，基底包括有源区域，基底的第一表面一侧形成有金属布线层，基底的有源区域外围形成有从第二表面贯穿至第一表面并暴露金属布线层的贯通孔；绝缘层和导电材质，绝缘层贴附于贯通孔的侧壁形成绝缘腔，导电材质填充于绝缘腔中与金属布线层连接；电性引出结构，位于第一表面一侧、连接金属布线层与有源区域，以将金属布线层上的电荷转移至有源区域。通过上述方式，本申请能够有效解决电荷扩散问题。本申请能够有效解决电荷扩散问题。本申请能够有效解决电荷扩散问题。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及制作方法


[0001]本申请涉及半导体
；具体涉及一种半导体器件及制作方法。

技术介绍

[0002]目前硅通孔(Through Silicon Via，TSV)技术常用在半导体器件的制造工艺中，能够利用硅通孔技术实现芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间的垂直导通，大大降低半导体器件的封装尺寸；硅通孔的质量对于半导体器件来说至关重要；然而在生产过程中，发现存在电荷扩散至硅通孔的绝缘层的现象，大大影响半导体器件的质量。

技术实现思路

[0003]本申请提供一种半导体器件及制作方法，能够有效解决电荷扩散问题。
[0004]为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：一种半导体器件及制作方法，包括基底、绝缘层、导电材质、金属布线层和电性引出结构，基底包括相背设置的第一表面和第二表面，基底包括有源区域，基底的第一表面一侧形成有金属布线层，基底的有源区域外围形成有从第二表面贯穿至第一表面并暴露金属布线层的贯通孔；绝缘层和导电材质，绝缘层贴附于贯通孔的侧壁形成绝缘腔，导电材质填充于绝缘腔中与金属布线层连接；电性引出本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：基底，所述基底包括相背设置的第一表面和第二表面，所述基底包括有源区域，所述基底的第一表面一侧形成有金属布线层，所述基底的有源区域外围形成有从所述第二表面贯穿至所述第一表面并暴露所述金属布线层的贯通孔；绝缘层和导电材质，所述绝缘层贴附于所述贯通孔的侧壁形成绝缘腔，所述导电材质填充于所述绝缘腔中与所述金属布线层连接；电性引出结构，位于所述第一表面一侧、连接所述金属布线层与所述有源区域，以将所述金属布线层上的电荷转移至所述有源区域。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述基底还包括通孔，所述通孔设置于所述贯通孔和所述有源区域之间，所述通孔中填充有第一绝缘材料，以用于隔离所述有源区域和所述贯通孔。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一表面上设置隔离槽，所述隔离槽围设于所述有源区域的外周，所述隔离槽中填充有第二绝缘材料。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述通孔的一端与所述第二绝缘材料接触。5.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第二表面覆盖第三绝缘材料，所述第三绝缘材料在所述第二表面上的正投影覆盖所述有源区域在所述第二表面上的正投影的部分与所述通孔中的第一绝缘材料接触。6.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述有源区域的数量为两个以上，所述通孔围设...

【专利技术属性】
技术研发人员：关富升，杨帆，罗清威，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：