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本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种半导体器件及制作方法，该半导体器件包括：包括基底、绝缘层、导电材质、金属布线层和电性引出结构，基底包括相背设置的第一表面和第二表面，基底包括有源区域，基底的第一表面一侧形成有金属布线层，基底的有源区域...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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