氮化物半导体发光器件及其制作方法技术
【技术实现步骤摘要】
氮化物半导体发光器件及其制作方法
本专利技术涉及氮化物半导体发光器件以及用于制作该氮化物半导体发光器件的方法。
技术介绍
氮化物半导体发光器件发射具有从紫外延伸到红外区的波长的光。在氮化物半导体发光器件包括InGaN层作为有源层时，可以通过改变InGaN层中的混合晶体比率来控制可见区中的波长。蓝色LED可以与黄色荧光材料结合以便产生白色光源，其已经被广泛用在显示装置和照明装置中。已知的用于氮化物半导体的受主掺杂剂的示例包括Be、Mg和C。在这些元素之中，Mg经常被用作p型导电掺杂剂，这是因为Mg允许实现高p型导电性。然而，Mg的使用引起称为“记忆效应（memoryeffect）”的问题，其是由于当在反应器中使用过含Mg原料时附着于反应器部件的Mg随着它生长而从反应器部件脱附（desorb）并且被无意地混入晶体中所引起的现象。有源层中的Mg的混入增大了无辐射复合的出现率，这导致发光效率降低。因此，抑制记忆效应并且防止有源层中的无意的掺杂是非常重要的。作为示例上面讨论了Mg，而可以被用于GaAs中的受主掺杂剂的其它原料（诸如Zn、Se和Te）也具有记忆效应的问题。迄今...
【技术保护点】
一种用于制作发光器件的方法，所述发光器件具有包括氮化物半导体的有源层，所述方法包括如下步骤：在其中已经使用了含Mg原料的反应器中在衬底上形成包含In的层；以及在包含In的层上形成包括氮化物半导体的有源层。
【技术特征摘要】
2012.10.09 JP 2012-2245901.一种用于制作发光器件的方法，所述发光器件具有包括氮化物半导体的有源层，所述方法包括如下步骤：在其中已经使用了含Mg原料的反应器中在衬底上形成包含In的氮化物半导体层；以及在包含In的氮化物半导体层上形成包括氮化物半导体的有源层，在所述反应器中重复这些步骤。2.根据权利要求1所述的用于制作发光器件的方法，其中包含In的氮化物半导体层具有30nm或更大的厚度。3.根据权利要求1所述的用于制作发光器件的方法，其中衬底和有源层之间的距离是1000nm或更小。4.根据权利要求1所述的用于制作发光器件的方法，其中包含In的氮化物半导体层具有比有源层大的带隙。5.根据权利要求1所述的用于制作发光器件的方法，其中包含In的氮化物半导体层包括InxGa1-xN并且有源层包括InyGa1-yN，其中0＜x＜y。6.根据权利要求1所述的用于制作发光器件的方法，还包括在将衬底运送到反应器中之前对反应器进行热处理的步骤。7.根据权利要求1所述的用于制作发光器件的方法，其中包含In的氮化物半导体层包括InGaN半导体、AlInN半导体、AlInGaN半导体和InN半导体。8.一种用于制作多个发光器件的方法，每个发光器件具有包括氮化物半导体的有源层以及Mg掺杂的p型半导体层，所述方法包括如下步骤：在衬底上形成包含In的层，其中，该包含In的层是Mg吸附层；在包含In的层上形成包括氮化物半导体的有源层；以及在有源层上形成Mg掺杂的p型半导体层，在一个反应器中依次重复这些步骤。9.根据权利要求8所述的用于制作多个发光器件的方法，其中包含In的层具有30nm或更大的厚度。10.根据权利要求...
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